Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
IRF9630 MOSFE P-CH 200V 6,5A 70W
Артикул:
MXL149111
Количество на складе:
Под заказ
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
IRF9630PBF - это одноканальный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с напряжением -200 В, HEXFET-транзистор третьего поколения предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления в открытом состоянии. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Простота параллельного подключения
• Простые требования к приводу
143 ₽
IRF9630 MOSFE P-CH 200V 6,5A 70W
Отзывов (0)
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
IRF9630PBF - это одноканальный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с напряжением -200 В, HEXFET-транзистор третьего поколения предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления в открытом состоянии. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Простота параллельного подключения
• Простые требования к приводу
143 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
КГМ24-150
Артикул:
MXL149368
Количество на складе:
Под заказ
Мощность лампы: 150 вт
Напряжение лампы с: 24 в
Напряжение лампы по: 24 в
Рабочее напряжение, В: 24
Мощность, Вт: 150
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/954/DOC005954452.pdf
Бренд: Россия
Напряжение лампы с: 24 в
Напряжение лампы по: 24 в
Рабочее напряжение, В: 24
Мощность, Вт: 150
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/954/DOC005954452.pdf
Бренд: Россия
941 ₽
КГМ24-150
Отзывов (0)
Мощность лампы: 150 вт
Напряжение лампы с: 24 в
Напряжение лампы по: 24 в
Рабочее напряжение, В: 24
Мощность, Вт: 150
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/954/DOC005954452.pdf
Бренд: Россия
Напряжение лампы с: 24 в
Напряжение лампы по: 24 в
Рабочее напряжение, В: 24
Мощность, Вт: 150
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/954/DOC005954452.pdf
Бренд: Россия
941 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRF8721TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A
Артикул:
MXL149117
Количество на складе:
Под заказ
Maximum Operating Temperature: +150 °C
Maximum Continuous Drain Current: 14 A
Package Type: SOIC
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Width: 4mm
Forward Transconductance: 27s
Height: 1.5mm
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 5mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V
Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m_
Maximum Drain Source Voltage: 30 V
Pin Count: 8
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1V
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC011911001.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC012294437.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300400.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Maximum Continuous Drain Current: 14 A
Package Type: SOIC
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Width: 4mm
Forward Transconductance: 27s
Height: 1.5mm
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 5mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V
Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m_
Maximum Drain Source Voltage: 30 V
Pin Count: 8
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1V
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC011911001.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC012294437.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300400.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
428 ₽
IRF8721TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A
Отзывов (0)
Maximum Operating Temperature: +150 °C
Maximum Continuous Drain Current: 14 A
Package Type: SOIC
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Width: 4mm
Forward Transconductance: 27s
Height: 1.5mm
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 5mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V
Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m_
Maximum Drain Source Voltage: 30 V
Pin Count: 8
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1V
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC011911001.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC012294437.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300400.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Maximum Continuous Drain Current: 14 A
Package Type: SOIC
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Width: 4mm
Forward Transconductance: 27s
Height: 1.5mm
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 5mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V
Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m_
Maximum Drain Source Voltage: 30 V
Pin Count: 8
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1V
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC011911001.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC012294437.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300400.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
428 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
6Ж5Б-В ДЕМОНТАЖ
Артикул:
MXL149384
Количество на складе:
Под заказ
Минимальная наработка: 500 час.
Напряжение: на второй сетке: 120 В
Сопротивление: в цепи катода для автоматического смещения: 100 Ом
Ток: в цепи второй сетки: 4 мА
Бренд: Нет торговой марки
Напряжение: на второй сетке: 120 В
Сопротивление: в цепи катода для автоматического смещения: 100 Ом
Ток: в цепи второй сетки: 4 мА
Бренд: Нет торговой марки
ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ\Радиолампы
162 ₽
6Ж5Б-В ДЕМОНТАЖ
Отзывов (0)
Минимальная наработка: 500 час.
Напряжение: на второй сетке: 120 В
Сопротивление: в цепи катода для автоматического смещения: 100 Ом
Ток: в цепи второй сетки: 4 мА
Бренд: Нет торговой марки
Напряжение: на второй сетке: 120 В
Сопротивление: в цепи катода для автоматического смещения: 100 Ом
Ток: в цепи второй сетки: 4 мА
Бренд: Нет торговой марки
ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ\Радиолампы
162 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней