Электронные компоненты
FII50-12E IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Артикул:
MXL149249
Количество на складе:
Под заказ
2926 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
FDB7045L MOSFET N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENCH 30V 100A 125W
Артикул:
MXL149250
Количество на складе:
Под заказ
580 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
FDB6035AL MOSFET N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENCH 30V 48A 52W
Артикул:
MXL149252
Количество на складе:
Под заказ
580 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
BSS84МОП-ТРАНЗИСТОР P-CH DMOS 50V 130MA
Артикул:
MXL149262
Количество на складе:
Под заказ
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC000149769.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC000149769.pdf
Бренд: Infineon Technologies
133 ₽
BSS84МОП-ТРАНЗИСТОР P-CH DMOS 50V 130MA
Отзывов (0)
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC000149769.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC000149769.pdf
Бренд: Infineon Technologies
133 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
BSH201,215
Артикул:
MXL149267
Количество на складе:
Под заказ
Id - непрерывный ток утечки: 1.9 A
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Qg - заряд затвора: 6.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 8 ns
Время спада: 26 ns
Высота: 1 mm
Длина: 3 mm
Другие названия товара №: BSH108 T/R
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 65 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Продукт: MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки: 3000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения: 15 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Торговая марка: Nexperia
Упаковка / блок: SOT-23-3
Ширина: 1.4 mm
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC012907771.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC011620403.pdf
Бренд: Nexperia
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Qg - заряд затвора: 6.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 8 ns
Время спада: 26 ns
Высота: 1 mm
Длина: 3 mm
Другие названия товара №: BSH108 T/R
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 65 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Продукт: MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки: 3000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения: 15 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Торговая марка: Nexperia
Упаковка / блок: SOT-23-3
Ширина: 1.4 mm
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC012907771.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC011620403.pdf
Бренд: Nexperia
BSH108.215 - это N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе, использующий технологию TrenchMOS ™ 1. Он подходит для использования в системах управления батареями, высокоскоростном переключателе и маломощных преобразователях постоянного тока в постоянный.
• Очень быстрое переключение
• Совместимость на логическом уровне
• Сверхминиатюрный корпус для поверхностного монтажа
• От -65 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода
17 ₽
BSH201,215
Отзывов (0)
Id - непрерывный ток утечки: 1.9 A
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Qg - заряд затвора: 6.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 8 ns
Время спада: 26 ns
Высота: 1 mm
Длина: 3 mm
Другие названия товара №: BSH108 T/R
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 65 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Продукт: MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки: 3000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения: 15 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Торговая марка: Nexperia
Упаковка / блок: SOT-23-3
Ширина: 1.4 mm
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC012907771.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC011620403.pdf
Бренд: Nexperia
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Qg - заряд затвора: 6.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 8 ns
Время спада: 26 ns
Высота: 1 mm
Длина: 3 mm
Другие названия товара №: BSH108 T/R
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 65 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Продукт: MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки: 3000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения: 15 ns
Типичное время задержки при включении: 3 ns
Торговая марка: Nexperia
Упаковка / блок: SOT-23-3
Ширина: 1.4 mm
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC012907771.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC011620403.pdf
Бренд: Nexperia
BSH108.215 - это N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе, использующий технологию TrenchMOS ™ 1. Он подходит для использования в системах управления батареями, высокоскоростном переключателе и маломощных преобразователях постоянного тока в постоянный.
• Очень быстрое переключение
• Совместимость на логическом уровне
• Сверхминиатюрный корпус для поверхностного монтажа
• От -65 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода
17 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
BLF368 AU RF MOSFET N-CH 65V 25A (300W 32V 10DB 65% 225MHZ)
Артикул:
MXL149269
Количество на складе:
Под заказ
32 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
BF1012R MOSFET N-CH 16V 25MA 0,2W 1GHZ FOR LOW NOISE, HIGH GAIN CONTROLLED INPUT STAGES
Артикул:
MXL149272
Количество на складе:
Под заказ
485 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней