Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IPW60R045CP MOSFET N-CH 650V 60A 3-PIN (3+TAB)
Артикул:
MXL149234
Количество на складе:
Под заказ
1995 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IPB05N03LA MOSFET N-CH 25V 80A
Артикул:
MXL149238
Количество на складе:
Под заказ
Вес, г: 2.1
Бренд: Infineon Technologies
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
314 ₽
IPB05N03LA MOSFET N-CH 25V 80A
Отзывов (0)
Вес, г: 2.1
Бренд: Infineon Technologies
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
314 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IPB05N03L MOSFET N-CH 25V 80A
Артикул:
MXL149239
Количество на складе:
Под заказ
Вес, г: 2.1
Бренд: Infineon Technologies
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
314 ₽
IPB05N03L MOSFET N-CH 25V 80A
Отзывов (0)
Вес, г: 2.1
Бренд: Infineon Technologies
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
314 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Т15-200-16-425
Артикул:
MXL148984
Количество на складе:
Под заказ
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC000798279.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC000190516.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/141/DOC000141336.pdf
Бренд: Китай
Бренд: Китай
3468 ₽
Т15-200-16-425
Отзывов (0)
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC000798279.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC000190516.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/141/DOC000141336.pdf
Бренд: Китай
Бренд: Китай
3468 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
HUF76139S MOSFET N-CH 75A 30V 0,0075OHM LOGIC LEVELПАЯНЫЕВЫВОДЫ
Артикул:
MXL149242
Количество на складе:
Под заказ
893 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
FQD3P50TM MOSFET P-CH 500V 2,1A
Артикул:
MXL149245
Количество на складе:
Под заказ
Id - непрерывный ток утечки: 1.9 A
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 25 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 2.39 mm
Длина: 6.73 mm
Другие названия товара №: FQD2N60CTM_NL
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: FQD2N60C
Технология: Si
Тип: MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 24 ns
Типичное время задержки при включении: 9 ns
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-252-3
Ширина: 6.22 mm
Transistor Mounting: Surface Mount
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 600В
Непрерывный Ток Стока: 1.9А
Пороговое Напряжение Vgs: 4В
Рассеиваемая Мощность: 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 3.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный
Вес, г: 0.35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC011487648.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC011966418.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 25 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 2.39 mm
Длина: 6.73 mm
Другие названия товара №: FQD2N60CTM_NL
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: FQD2N60C
Технология: Si
Тип: MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 24 ns
Типичное время задержки при включении: 9 ns
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-252-3
Ширина: 6.22 mm
Transistor Mounting: Surface Mount
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 600В
Непрерывный Ток Стока: 1.9А
Пороговое Напряжение Vgs: 4В
Рассеиваемая Мощность: 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 3.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный
Вес, г: 0.35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC011487648.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC011966418.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-CH/600V/2A/A.QFET
114 ₽
FQD3P50TM MOSFET P-CH 500V 2,1A
Отзывов (0)
Id - непрерывный ток утечки: 1.9 A
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 25 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 2.39 mm
Длина: 6.73 mm
Другие названия товара №: FQD2N60CTM_NL
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: FQD2N60C
Технология: Si
Тип: MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 24 ns
Типичное время задержки при включении: 9 ns
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-252-3
Ширина: 6.22 mm
Transistor Mounting: Surface Mount
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 600В
Непрерывный Ток Стока: 1.9А
Пороговое Напряжение Vgs: 4В
Рассеиваемая Мощность: 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 3.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный
Вес, г: 0.35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC011487648.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC011966418.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 25 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 2.39 mm
Длина: 6.73 mm
Другие названия товара №: FQD2N60CTM_NL
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: FQD2N60C
Технология: Si
Тип: MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 24 ns
Типичное время задержки при включении: 9 ns
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-252-3
Ширина: 6.22 mm
Transistor Mounting: Surface Mount
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 600В
Непрерывный Ток Стока: 1.9А
Пороговое Напряжение Vgs: 4В
Рассеиваемая Мощность: 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 3.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный
Вес, г: 0.35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC011487648.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC011966418.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-CH/600V/2A/A.QFET
114 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
FMMT918 NPN 15V 100MA H21E20 0,33W 600MHZ
Артикул:
MXL149247
Количество на складе:
Под заказ
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: sot-23
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC003005175.pdf
Бренд: Diodes Incorporated
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: sot-23
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC003005175.pdf
Бренд: Diodes Incorporated
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
73 ₽
FMMT918 NPN 15V 100MA H21E20 0,33W 600MHZ
Отзывов (0)
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: sot-23
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC003005175.pdf
Бренд: Diodes Incorporated
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: sot-23
Вес, г: 0.05
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC003005175.pdf
Бренд: Diodes Incorporated
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
73 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней