Электронные компоненты
IRF5852TRPBF MOSFET N-CH DUAL 20V 2,7A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
Пороговое напряжение на затворе: -0.45…-1.2
Вес, г: 0.1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300286.pdf
Бренд: International Rectifier
IRF5852TRPBF MOSFET N-CH DUAL 20V 2,7A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
Пороговое напряжение на затворе: -0.45…-1.2
Вес, г: 0.1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300286.pdf
Бренд: International Rectifier
IRF4104PBF MOSFET N-CH 40V 75A
Бренд: International Rectifier
IRF3710ZSPBF MOSFET N-CH 100V 59A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196986.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300442.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRF3710ZPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, в котором используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура перехода 175 ° C, высокая скорость переключения и повышенная стойкость к повторяющимся лавинам. Сочетание этих функций делает эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.
• Передовые технологические процессы
• Сверхнизкое сопротивление включению
• Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющиеся лавины допускаются до Tjmax
IRF3710ZSPBF MOSFET N-CH 100V 59A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196986.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300442.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRF3710ZPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, в котором используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура перехода 175 ° C, высокая скорость переключения и повышенная стойкость к повторяющимся лавинам. Сочетание этих функций делает эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.
• Передовые технологические процессы
• Сверхнизкое сопротивление включению
• Динамический рейтинг dV / dt
• Повторяющиеся лавины допускаются до Tjmax
IRF3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 92A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 1…3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196848.pdf
Бренд: International Rectifier
IRF3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 92A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 1…3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196848.pdf
Бренд: International Rectifier