Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRG7PH46UPBF IGBT N-CH 1200V 40A (130A) 234W
Артикул:
MXL145888
Количество на складе:
Под заказ
741 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRG7PH35UDPBF IGBT 1200V 50A 180W
Артикул:
MXL145892
Количество на складе:
Под заказ
Base Product Number: IRG7PH35 ->
Current - Collector (Ic) (Max): 50A
Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 85nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 180W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 105ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/160ns
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Серия: Rectifier Diode Module
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC011538274.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC011407015.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Current - Collector (Ic) (Max): 50A
Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 85nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 180W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 105ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/160ns
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Серия: Rectifier Diode Module
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC011538274.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC011407015.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
2717 ₽
IRG7PH35UDPBF IGBT 1200V 50A 180W
Отзывов (0)
Base Product Number: IRG7PH35 ->
Current - Collector (Ic) (Max): 50A
Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 85nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 180W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 105ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/160ns
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Серия: Rectifier Diode Module
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC011538274.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC011407015.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Current - Collector (Ic) (Max): 50A
Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 85nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 180W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 105ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/160ns
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Серия: Rectifier Diode Module
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC011538274.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC011407015.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
2717 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRG7IC30FDPBF IGBT 600V 24A 42W
Артикул:
MXL145895
Количество на складе:
Под заказ
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 22
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 44
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 66
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 194
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d-pak(to-252aa)
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Крутизна характеристики, S: 7.75
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196942.pdf
Бренд: International Rectifier
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 22
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 44
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 66
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 194
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d-pak(to-252aa)
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Крутизна характеристики, S: 7.75
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196942.pdf
Бренд: International Rectifier
732 ₽
IRG7IC30FDPBF IGBT 600V 24A 42W
Отзывов (0)
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 22
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 44
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 66
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 194
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d-pak(to-252aa)
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Крутизна характеристики, S: 7.75
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196942.pdf
Бренд: International Rectifier
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 22
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 44
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 66
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 194
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d-pak(to-252aa)
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Крутизна характеристики, S: 7.75
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196942.pdf
Бренд: International Rectifier
732 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRG4PC30WPBF IGBT WARP 600V 23A
Артикул:
MXL145908
Количество на складе:
Под заказ
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Бренд: Infineon Technologies
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 23A Voltage, Vce Sat Max 2.5V Power Dissipation 100W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 92A No. of Pins 3 Power, Pd 100W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 80ns Time, Rise 21ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 23 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 100 Вт, Заряд затвора 50 нКл, Тип входа стандартный
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Бренд: Infineon Technologies
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 23A Voltage, Vce Sat Max 2.5V Power Dissipation 100W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 92A No. of Pins 3 Power, Pd 100W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 80ns Time, Rise 21ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 23 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 100 Вт, Заряд затвора 50 нКл, Тип входа стандартный
741 ₽
IRG4PC30WPBF IGBT WARP 600V 23A
Отзывов (0)
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Бренд: Infineon Technologies
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 23A Voltage, Vce Sat Max 2.5V Power Dissipation 100W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 92A No. of Pins 3 Power, Pd 100W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 80ns Time, Rise 21ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 23 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 100 Вт, Заряд затвора 50 нКл, Тип входа стандартный
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Бренд: Infineon Technologies
IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 23A Voltage, Vce Sat Max 2.5V Power Dissipation 100W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 92A No. of Pins 3 Power, Pd 100W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 80ns Time, Rise 21ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 23 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 100 Вт, Заряд затвора 50 нКл, Тип входа стандартный
741 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRG4PC30SPBF IGBT STD 600V 34A
Артикул:
MXL145909
Количество на складе:
Под заказ
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197057.pdf
Бренд: International Rectifier
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197057.pdf
Бренд: International Rectifier
87 ₽
IRG4PC30SPBF IGBT STD 600V 34A
Отзывов (0)
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197057.pdf
Бренд: International Rectifier
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Структура: n-канал
Управляющее напряжение,В: 6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043243.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197057.pdf
Бренд: International Rectifier
87 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
РПС45 755-05 5
Артикул:
MXL146166
Количество на складе:
Под заказ
Бренд: Нет торговой марки
РЕЛЕ\Электромагнитные реле
1036 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней