Электронные компоненты
STD7NM80 MOSFET N-CH 800V 6,5A
Артикул:
MXL145757
Количество на складе:
Под заказ
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/919/DOC000919126.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/632/DOC011632640.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC012038718.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC012297006.pdf
Бренд: ST Microelectronics
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/919/DOC000919126.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/632/DOC011632640.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC012038718.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC012297006.pdf
Бренд: ST Microelectronics
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
988 ₽
STD7NM80 MOSFET N-CH 800V 6,5A
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/919/DOC000919126.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/632/DOC011632640.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC012038718.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC012297006.pdf
Бренд: ST Microelectronics
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/919/DOC000919126.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/632/DOC011632640.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC012038718.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC012297006.pdf
Бренд: ST Microelectronics
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
988 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
PHB96NQ03LT MOSFET N-CH 25V 75AПАЯНЫЕВЫВОДЫ
Артикул:
MXL145763
Количество на складе:
Под заказ
504 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
PHT8N06LT MOSFET N-CH 55V 7,5А 0,08OHM 1,8W
Артикул:
MXL145764
Количество на складе:
Под заказ
580 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
PHB66NQ03LT MOSFET N-CH 25V 66AПАЯНЫЕВЫВОДЫ
Артикул:
MXL145766
Количество на складе:
Под заказ
703 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
SRR1208-221KL ДРОССЕЛЬ SMD ЭКРАНИРОВАННЫЙ 220МКГН (ПРИ 1КГЦ) 1,1А
Артикул:
MXL145515
Количество на складе:
Под заказ
162 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
MTB1306 MOSFET NCHANNEL 75A 30V LOGIC LEVEL
Артикул:
MXL145771
Количество на складе:
Под заказ
9101 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
MG15G1AL1 IGBT TRANSISTOR MODULE 15A-450V-1U
Артикул:
MXL145774
Количество на складе:
Под заказ
48783 ₽
Срок отгрузки от 5 дней