Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
РГ1Н-3-4К РОЗЕТКАПЛАСТ,ЗАВ,БУМ,
Артикул:
MXL146267
Количество на складе:
Под заказ
Бренд: Нет торговой марки
РАЗЪЕМЫ\Рг1н_Рш2н
42 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
РГ1Н-3-4К РОЗЕТКАКАРБОЛИТ,ЗАВ,БУМ,
Артикул:
MXL146268
Количество на складе:
Под заказ
Бренд: Нет торговой марки
РАЗЪЕМЫ\Рг1н_Рш2н
42 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
РЭВ-2400 220В 50ГЦ РЕЛЕ
Артикул:
MXL146029
Количество на складе:
Под заказ
Бренд: Новатек-Электро
2090 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
РШ2НМ-1-29КАРБ,МЕТ,КОЖ,
Артикул:
MXL146034
Количество на складе:
Под заказ
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/584/DOC000584525.pdf
Бренд: Нет торговой марки
Бренд: Нет торговой марки
РАЗЪЕМЫ\Рг1н_Рш2н
58 ₽
РШ2НМ-1-29КАРБ,МЕТ,КОЖ,
Отзывов (0)
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/584/DOC000584525.pdf
Бренд: Нет торговой марки
Бренд: Нет торговой марки
РАЗЪЕМЫ\Рг1н_Рш2н
58 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRLU8113PBF MOSFET N-CH 30V 94A
Артикул:
MXL145787
Количество на складе:
Под заказ
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 74
Корпус: ipak
Особенности: высокочастотный ключ
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298139.pdf
Бренд: International Rectifier
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 74
Корпус: ipak
Особенности: высокочастотный ключ
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298139.pdf
Бренд: International Rectifier
323 ₽
IRLU8113PBF MOSFET N-CH 30V 94A
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 74
Корпус: ipak
Особенности: высокочастотный ключ
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298139.pdf
Бренд: International Rectifier
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 74
Корпус: ipak
Особенности: высокочастотный ключ
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298139.pdf
Бренд: International Rectifier
323 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRLU3636PBF MOSFET N-CH 60V 50A
Артикул:
MXL145796
Количество на складе:
Под заказ
Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 99 А
Тип корпуса: IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности: 143 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 2.39мм
Высота: 7.49мм
Размеры: 6.73 x 2.39 x 7.49мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.73мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 45 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 43 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 8,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3779 pF @ 50 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC004335350.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальный непрерывный ток стока: 99 А
Тип корпуса: IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности: 143 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 2.39мм
Высота: 7.49мм
Размеры: 6.73 x 2.39 x 7.49мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.73мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 45 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 43 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 8,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3779 pF @ 50 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC004335350.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
85 ₽
IRLU3636PBF MOSFET N-CH 60V 50A
Отзывов (0)
Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 99 А
Тип корпуса: IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности: 143 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 2.39мм
Высота: 7.49мм
Размеры: 6.73 x 2.39 x 7.49мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.73мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 45 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 43 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 8,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3779 pF @ 50 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC004335350.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальный непрерывный ток стока: 99 А
Тип корпуса: IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности: 143 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 2.39мм
Высота: 7.49мм
Размеры: 6.73 x 2.39 x 7.49мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.73мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 45 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 43 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 8,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3779 pF @ 50 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC004335350.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
85 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней