Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRLML2402TR PBF N-CANAL MOSFET 1,2A 20V 0,54W 0,2
Артикул:
MXL145812
Количество на складе:
Под заказ
105 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRLHM630TRPBF MOSFET N-CH 30V 21A
Артикул:
MXL145819
Количество на складе:
Под заказ
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.1
Вес, г: 0.43
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC000299257.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.1
Вес, г: 0.43
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC000299257.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
152 ₽
IRLHM630TRPBF MOSFET N-CH 30V 21A
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.1
Вес, г: 0.43
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC000299257.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.1
Вес, г: 0.43
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC000299257.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
152 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
РС10ТВ РОЗЕТКА СКОЖ, ЗАВ,ПОЛИЭТ,
Артикул:
MXL146075
Количество на складе:
Под заказ
Вид соединения: розетка, резьбовое
Исполнение: всеклиматическое
Кожух: да
Количество контактов: 10
Покрытие контактов: серебро
Тип: РС
Бренд: ОАО "Завод "Копир"
Исполнение: всеклиматическое
Кожух: да
Количество контактов: 10
Покрытие контактов: серебро
Тип: РС
Бренд: ОАО "Завод "Копир"
РАЗЪЕМЫ\рс
893 ₽
РС10ТВ РОЗЕТКА СКОЖ, ЗАВ,ПОЛИЭТ,
Отзывов (0)
Вид соединения: розетка, резьбовое
Исполнение: всеклиматическое
Кожух: да
Количество контактов: 10
Покрытие контактов: серебро
Тип: РС
Бренд: ОАО "Завод "Копир"
Исполнение: всеклиматическое
Кожух: да
Количество контактов: 10
Покрытие контактов: серебро
Тип: РС
Бренд: ОАО "Завод "Копир"
РАЗЪЕМЫ\рс
893 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
РС7ТВ РОЗ,СКОЖ,
Артикул:
MXL146080
Количество на складе:
Под заказ
Максимальное напряжение не более,В: 200
Максимальный ток, не более,А: 4
Рабочая температура,оС: -60…100
Сопротивление контактов не более,Ом: 0.005
Бренд: Россия
Максимальный ток, не более,А: 4
Рабочая температура,оС: -60…100
Сопротивление контактов не более,Ом: 0.005
Бренд: Россия
437 ₽
РС7ТВ РОЗ,СКОЖ,
Отзывов (0)
Максимальное напряжение не более,В: 200
Максимальный ток, не более,А: 4
Рабочая температура,оС: -60…100
Сопротивление контактов не более,Ом: 0.005
Бренд: Россия
Максимальный ток, не более,А: 4
Рабочая температура,оС: -60…100
Сопротивление контактов не более,Ом: 0.005
Бренд: Россия
437 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRL8113SPBF MOSFET N-CH 30V 105A
Артикул:
MXL145825
Количество на складе:
Под заказ
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 86
Корпус: TO-220AB
Особенности: высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297767.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 86
Корпус: TO-220AB
Особенности: высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297767.pdf
Бренд: Infineon Technologies
79 ₽
IRL8113SPBF MOSFET N-CH 30V 105A
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 86
Корпус: TO-220AB
Особенности: высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297767.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 86
Корпус: TO-220AB
Особенности: высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе: 2.25
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297767.pdf
Бренд: Infineon Technologies
79 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней