Электронные компоненты
BZV55-C56 SOD-80
Минимальное напряжение стабилизации,В: 48
Номинальное напряжение стабилизации,В: 51
Максимальное напряжение стабилизации,В: 54
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 60
при токе I ст,мА: 2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +38.6…+57.2(mV/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 10
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: Поверхостный монтаж
Корпус: MiniMELF/SOD-80
Вес, г: 0.07
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/444/DOC012444912.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC000301698.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Nexperia
Стабилитроны серии BZV55 – это кремниевые стабилитроны мощностью 0,5 Вт для поверхностного монтажа. По существу, эти стабилитроны являются SMD аналогами стабилитронов серии BZX55. Диапазон стабилизации напряжения обычно составляет от 2,4 В до 75 В, хотя некоторые производители выпускают стабилитроны с напряжением стабилизации до 200 В. Пиковая мощность рассеивания в течение 8,3 мс составляет 30 Вт, у некоторых производителей заявлена мощность даже 40 Вт.
Стабилитроны выпускаются в безвыводном стеклянном корпусе SOD80, или иначе этот корпус называют minimelf, метка в виде черного кольца нанесена со стороны катода. Маркируются стабилитроны этой серии по европейской системе Pro-Electron. Согласно ей, например, стабилитрон BZV55-C9V1 - это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 55, напряжением стабилизации 9,1 В и допуском на напряжение ± 5%.
BZV55-C56 SOD-80
Минимальное напряжение стабилизации,В: 48
Номинальное напряжение стабилизации,В: 51
Максимальное напряжение стабилизации,В: 54
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 60
при токе I ст,мА: 2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +38.6…+57.2(mV/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 10
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: Поверхостный монтаж
Корпус: MiniMELF/SOD-80
Вес, г: 0.07
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/444/DOC012444912.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC000301698.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Nexperia
Стабилитроны серии BZV55 – это кремниевые стабилитроны мощностью 0,5 Вт для поверхностного монтажа. По существу, эти стабилитроны являются SMD аналогами стабилитронов серии BZX55. Диапазон стабилизации напряжения обычно составляет от 2,4 В до 75 В, хотя некоторые производители выпускают стабилитроны с напряжением стабилизации до 200 В. Пиковая мощность рассеивания в течение 8,3 мс составляет 30 Вт, у некоторых производителей заявлена мощность даже 40 Вт.
Стабилитроны выпускаются в безвыводном стеклянном корпусе SOD80, или иначе этот корпус называют minimelf, метка в виде черного кольца нанесена со стороны катода. Маркируются стабилитроны этой серии по европейской системе Pro-Electron. Согласно ей, например, стабилитрон BZV55-C9V1 - это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 55, напряжением стабилизации 9,1 В и допуском на напряжение ± 5%.
BZV55-C39 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
BZV55-C39 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
TLP627-4 DIP-16
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-10C4
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/654/DOC005654325.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
Корпус DIP-8, Тип выхода Транзистор составной, Количество выходов 2, Коммутируемое напряжение (макс) 300 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ
TLP627-4 DIP-16
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-10C4
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/654/DOC005654325.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
Корпус DIP-8, Тип выхода Транзистор составной, Количество выходов 2, Коммутируемое напряжение (макс) 300 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ
BZV55-C22 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
BZV55-C22 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
TLP627[F] DIP-4
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-5B2
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222834.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
TLP627[F] DIP-4
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-5B2
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222834.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
TLP621 DIP-4
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 400, корпус: DIP4
TLP621 DIP-4
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 400, корпус: DIP4
TLP521-4 DIP-16
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 25, корпус: DIP16
OPTOCOUPLER, DIP-16, QUAD, TR. O/PКорпус DIP-16
TLP521-4 DIP-16
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 25, корпус: DIP16
OPTOCOUPLER, DIP-16, QUAD, TR. O/PКорпус DIP-16
PC817B DIP-4
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 130
Коэффициент передачи по току (Max), %: 260
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор
Напряжение выхода, В: 80
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -30…+100
Корпус: DIP-4
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/332/DOC004332917.pdf
Бренд: Китай
Корпус DIP4300, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ
PC817B DIP-4
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 130
Коэффициент передачи по току (Max), %: 260
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор
Напряжение выхода, В: 80
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -30…+100
Корпус: DIP-4
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/332/DOC004332917.pdf
Бренд: Китай
Корпус DIP4300, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ
BZV55-C11 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
Корпус MiniMELFBZV55-C11 SOD-80
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOD80
Корпус MiniMELFMOC3082M DIP-6
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
MOC3082 - оптопара с симисторным выходом 800 В, 7.5 кВ, корпус DIP-6, переключение при переходе через ноль.Корпус DIP-6
MOC3082M DIP-6
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
MOC3082 - оптопара с симисторным выходом 800 В, 7.5 кВ, корпус DIP-6, переключение при переходе через ноль.Корпус DIP-6
MOC3063M DIP-6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314950.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 1, корпус: DIP6
MOC3063M DIP-6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314950.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 1, корпус: DIP6
HCPL3180-300E
Максимальный прямой ток,мА: 25
Напряжение изоляции,кВ: 3.75
Тип корпуса: dip8
Максимальное выходное напряжение, В: 25
Тип выхода: оптрон с логическим выходом
Время включения/выключения, мкс: 0.2
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC011986564.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC005652395.pdf
Бренд: Avago Technologies
Изолированные оптопары с драйвером затвора, Avago Technologies
Устройства с оптически изолированным драйвером затвора Avago Technologies оптимизированы для управления транзисторами IGBT и Power MOSFET. Оптопары демонстрируют выходную нагрузку типа rail-to-rail, высокую скорость переключения затвора, высокий уровень подавления синфазного сигнала (CMR) и усиленную изоляцию. Изолирующие продукты Avago Technologies R2Coupler ™ обеспечивают усиленную изоляцию и надежность, необходимые для критических автомобильных и высокотемпературных применений.
Изолированные оптроны с драйвером затвора идеально подходят для использования в системах управления двигателями и преобразователя энергии. Это решение, в котором логические сигналы изолированы и защищены от высокого напряжения.
HCPL3180-300E
Максимальный прямой ток,мА: 25
Напряжение изоляции,кВ: 3.75
Тип корпуса: dip8
Максимальное выходное напряжение, В: 25
Тип выхода: оптрон с логическим выходом
Время включения/выключения, мкс: 0.2
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/986/DOC011986564.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC005652395.pdf
Бренд: Avago Technologies
Изолированные оптопары с драйвером затвора, Avago Technologies
Устройства с оптически изолированным драйвером затвора Avago Technologies оптимизированы для управления транзисторами IGBT и Power MOSFET. Оптопары демонстрируют выходную нагрузку типа rail-to-rail, высокую скорость переключения затвора, высокий уровень подавления синфазного сигнала (CMR) и усиленную изоляцию. Изолирующие продукты Avago Technologies R2Coupler ™ обеспечивают усиленную изоляцию и надежность, необходимые для критических автомобильных и высокотемпературных применений.
Изолированные оптроны с драйвером затвора идеально подходят для использования в системах управления двигателями и преобразователя энергии. Это решение, в котором логические сигналы изолированы и защищены от высокого напряжения.
MOC3021M DIP-6
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 100, корпус: DIP6
MOC3021M DIP-6
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 100, корпус: DIP6
BZV85-C51 DO-41 (1N4757A)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 4.4
Номинальное напряжение стабилизации,В: 4.7
Максимальное напряжение стабилизации,В: 5
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 13
при токе I ст,мА: 45
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0.2…+0.7(mV/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 45
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 276
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/637/DOC005637768.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/670/DOC011670007.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/948/DOC005948048.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Nexperia
Стабилитроны DIODE ZENER 5 PCT
BZV85-C51 DO-41 (1N4757A)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 4.4
Номинальное напряжение стабилизации,В: 4.7
Максимальное напряжение стабилизации,В: 5
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 13
при токе I ст,мА: 45
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0.2…+0.7(mV/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 45
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 276
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/637/DOC005637768.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/670/DOC011670007.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/948/DOC005948048.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Nexperia
Стабилитроны DIODE ZENER 5 PCT
1N4756A DO-41 (BZV85-C47)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 40.85
Номинальное напряжение стабилизации,В: 43
Максимальное напряжение стабилизации,В: 45.15
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 70
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.06…+0.095(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 9
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
1N4756A DO-41 (BZV85-C47)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 40.85
Номинальное напряжение стабилизации,В: 43
Максимальное напряжение стабилизации,В: 45.15
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 70
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.06…+0.095(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 9
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
1N4755A DO-41 (BZV85-C43)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 37.05
Номинальное напряжение стабилизации,В: 39
Максимальное напряжение стабилизации,В: 40.95
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 60
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.06…+0.095(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 10
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
1N4755A DO-41 (BZV85-C43)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 37.05
Номинальное напряжение стабилизации,В: 39
Максимальное напряжение стабилизации,В: 40.95
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 60
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.06…+0.095(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 10
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
4N25S SOIC-6
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 20
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/990/DOC000990391.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/777/DOC011777716.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/873/DOC011873012.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/947/DOC005947689.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Оптопара, транзисторный выход, Fairchild Semiconductor
4N25S SOIC-6
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 20
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/990/DOC000990391.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/777/DOC011777716.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/873/DOC011873012.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/947/DOC005947689.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Оптопара, транзисторный выход, Fairchild Semiconductor
1N4746A DO-41 (BZV85-C18)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 15.2
Номинальное напряжение стабилизации,В: 16
Максимальное напряжение стабилизации,В: 16.8
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 16
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.055…+0.09(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 25
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
Стабилитроны (диоды Зенера) – это полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через диод протекают малые токи, при наступлении пробоя ток, протекающий через стабилитрон, увеличивается и его сопротивление падает до определенного уровня. Т.о. стабилитрон в режиме пробоя может поддерживать напряжение с заданной точностью. Стабилитроны (диоды Зенера) серии BZX85C имеют мощность 1.3 Вт и подходят для защиты слаботочных элементов, требовательных к входному напряжению. Стабилитроны серии BZX85C выполнены в стеклянном корпусе DO-41 для монтажа в отверстие и имеют допуск по напряжению стабилизации 5%.
1N4746A DO-41 (BZV85-C18)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 15.2
Номинальное напряжение стабилизации,В: 16
Максимальное напряжение стабилизации,В: 16.8
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 16
при токе I ст,мА: 0.25
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.055…+0.09(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.25
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 25
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
Стабилитроны (диоды Зенера) – это полупроводниковые диоды, работающие при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через диод протекают малые токи, при наступлении пробоя ток, протекающий через стабилитрон, увеличивается и его сопротивление падает до определенного уровня. Т.о. стабилитрон в режиме пробоя может поддерживать напряжение с заданной точностью. Стабилитроны (диоды Зенера) серии BZX85C имеют мощность 1.3 Вт и подходят для защиты слаботочных элементов, требовательных к входному напряжению. Стабилитроны серии BZX85C выполнены в стеклянном корпусе DO-41 для монтажа в отверстие и имеют допуск по напряжению стабилизации 5%.
КТ3107Д ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 180…460
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
КТ3107Д ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 180…460
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
1N4739A DO-41 (BZV85-C9V1)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 7.79
Номинальное напряжение стабилизации,В: 8.2
Максимальное напряжение стабилизации,В: 8.61
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 4.5
при токе I ст,мА: 0.5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.03…+0.07(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 48
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
1N4739A DO-41 (BZV85-C9V1)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 7.79
Номинальное напряжение стабилизации,В: 8.2
Максимальное напряжение стабилизации,В: 8.61
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 4.5
при токе I ст,мА: 0.5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.03…+0.07(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 48
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
КТ3107В ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 70…140
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
КТ3107В ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 70…140
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
КТ3102КМ ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
КТ3102КМ ТРАНЗИСТОР,МИНСК
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: кт-26(то-92)
Вес, г: 0.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC006611013.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610841.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
1N4738A DO-41 (BZV85-C8V2)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 7.125
Номинальное напряжение стабилизации,В: 7.5
Максимальное напряжение стабилизации,В: 7.875
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 4
при токе I ст,мА: 0.5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.02…+0.065(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 53
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
1N4738A DO-41 (BZV85-C8V2)
Минимальное напряжение стабилизации,В: 7.125
Номинальное напряжение стабилизации,В: 7.5
Максимальное напряжение стабилизации,В: 7.875
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 4
при токе I ст,мА: 0.5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0.02…+0.065(%/C)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 53
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-41
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151030.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
TOP226YN TO-220
Тип преобразователя: boost, buck, flyback, forward
Наличие изоляции выхода: есть
Наличие внутреннего коммутатора: есть
Максимальное напряжение силового ключа, В: 700
Номинальная мощность, Вт: 100
Максимальная частота преобразователя, кГц: 100
Максимальная скважность преобразователя, %: 67
Защита от сбоев: cur.lim., over temp.
Рабочая температура,°С: -40…+150
Корпус: to-220-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC011879613.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC012435547.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC012911561.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/069/DOC000069888.pdf
Бренд: Power Integrations
PWM SWITCH, TO-220-3, 225 Power Supply Type Off-Line PWM Switch Voltage, Input Max 265V ac Output Current Max 150mA Voltage, Output Max 700V Outputs, No. of 1 Frequency 100kHz Voltage, Supply Min 36V Termination Type Through Hole Case Style TO-220 No. of Pins 3 Operating Temperature Range -40°C to +150°C Temp, Op. Max 150°C Temp, Op. Min -40°C Base Number 225 IC Generic Number 225 Voltage, Output 700V
Корпус TO-220-3, Максимальная скважность преобразователя 70 %, Максимальное напряжение силового ключа 700 В, Максимальная частота преобразователя 100 кГц, Номинальная мощность 100 Вт
TOP226YN TO-220
Тип преобразователя: boost, buck, flyback, forward
Наличие изоляции выхода: есть
Наличие внутреннего коммутатора: есть
Максимальное напряжение силового ключа, В: 700
Номинальная мощность, Вт: 100
Максимальная частота преобразователя, кГц: 100
Максимальная скважность преобразователя, %: 67
Защита от сбоев: cur.lim., over temp.
Рабочая температура,°С: -40…+150
Корпус: to-220-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC011879613.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC012435547.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC012911561.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/069/DOC000069888.pdf
Бренд: Power Integrations
PWM SWITCH, TO-220-3, 225 Power Supply Type Off-Line PWM Switch Voltage, Input Max 265V ac Output Current Max 150mA Voltage, Output Max 700V Outputs, No. of 1 Frequency 100kHz Voltage, Supply Min 36V Termination Type Through Hole Case Style TO-220 No. of Pins 3 Operating Temperature Range -40°C to +150°C Temp, Op. Max 150°C Temp, Op. Min -40°C Base Number 225 IC Generic Number 225 Voltage, Output 700V
Корпус TO-220-3, Максимальная скважность преобразователя 70 %, Максимальное напряжение силового ключа 700 В, Максимальная частота преобразователя 100 кГц, Номинальная мощность 100 Вт