Электронные компоненты
IRFBC40 TO-220
Артикул:
MXL389733
Количество на складе:
98
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
152 ₽
IRFBC40 TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
152 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 350В 10Х15 SEK,105С
Артикул:
MXL389228
Количество на складе:
35
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 350В 10Х15 SEK,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 400В 10Х17 CD263,105C
Артикул:
MXL389229
Количество на складе:
67
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 400В 10Х17 CD263,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRF5305S TO-263-3
Артикул:
MXL389741
Количество на складе:
13
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC011631570.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770472.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC011415125.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197090.pdf
Бренд: Infineon Technologies
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC011631570.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770472.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC011415125.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197090.pdf
Бренд: Infineon Technologies
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
171 ₽
IRF5305S TO-263-3
Отзывов (0)
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC011631570.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770472.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC011415125.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197090.pdf
Бренд: Infineon Technologies
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC011631570.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770472.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC011415125.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197090.pdf
Бренд: Infineon Technologies
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
171 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 250В 8Х11 KM,105С
Артикул:
MXL389230
Количество на складе:
56
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 250В 8Х11 KM,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 250В 8Х11 SEK,105С
Артикул:
MXL389231
Количество на складе:
30
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 250В 8Х11 SEK,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 250В 8Х11 TK,105C
Артикул:
MXL389232
Количество на складе:
64
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 250В 8Х11 TK,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 250В 6,3Х11 SD
Артикул:
MXL389233
Количество на складе:
33
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 250В 6,3Х11 SD
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 250В 8Х12 GS
Артикул:
MXL389234
Количество на складе:
50
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 250В 8Х12 GS
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 160В 6Х11 SEK,105С
Артикул:
MXL389235
Количество на складе:
56
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 160В 6Х11 SEK,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRF2804 TO-220AB
Артикул:
MXL389747
Количество на складе:
44
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0036 Ом/130А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 120
Корпус: TO-220AB
Особенности: авто применения.175 гр.с
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770968.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/039/DOC013039860.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0036 Ом/130А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 120
Корпус: TO-220AB
Особенности: авто применения.175 гр.с
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770968.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/039/DOC013039860.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
380 ₽
IRF2804 TO-220AB
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0036 Ом/130А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 120
Корпус: TO-220AB
Особенности: авто применения.175 гр.с
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770968.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/039/DOC013039860.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0036 Ом/130А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 120
Корпус: TO-220AB
Особенности: авто применения.175 гр.с
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770968.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/039/DOC013039860.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
380 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 KM,105C
Артикул:
MXL389236
Количество на складе:
32
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 KM,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 160В 8Х12 GS
Артикул:
MXL389237
Количество на складе:
87
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 160В 8Х12 GS
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней