Электронные компоненты
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
MJE13007F TO-220F
Артикул:
MXL389672
Количество на складе:
81
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370337.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370337.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
152 ₽
MJE13007F TO-220F
Отзывов (0)
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370337.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370337.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
152 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
ST13007A TO-220
Артикул:
MXL389674
Количество на складе:
74
Collector-Emitter Breakdown Voltage: 400V
Maximum DC Collector Current: 8A
Pd - Power Dissipation: 80W
Transistor Type: NPN
Вес, г: 2.7
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/648/DOC011648530.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/904/DOC012904944.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 5, Коэффициент усиления по току, max 40
Maximum DC Collector Current: 8A
Pd - Power Dissipation: 80W
Transistor Type: NPN
Вес, г: 2.7
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/648/DOC011648530.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/904/DOC012904944.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 5, Коэффициент усиления по току, max 40
200 ₽
ST13007A TO-220
Отзывов (0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage: 400V
Maximum DC Collector Current: 8A
Pd - Power Dissipation: 80W
Transistor Type: NPN
Вес, г: 2.7
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/648/DOC011648530.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/904/DOC012904944.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 5, Коэффициент усиления по току, max 40
Maximum DC Collector Current: 8A
Pd - Power Dissipation: 80W
Transistor Type: NPN
Вес, г: 2.7
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/648/DOC011648530.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/904/DOC012904944.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 5, Коэффициент усиления по току, max 40
200 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
MJE13007 TO-220
Артикул:
MXL389675
Количество на складе:
63
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366012.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366012.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
114 ₽
MJE13007 TO-220
Отзывов (0)
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366012.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366012.pdf
Бренд: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
114 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
MJE13005DF TO-220F
Артикул:
MXL389676
Количество на складе:
59
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10…60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370331.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10…60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370331.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
114 ₽
MJE13005DF TO-220F
Отзывов (0)
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10…60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370331.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10…60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC004370331.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
114 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
STP9NK50ZFP TO-220FP
Артикул:
MXL389685
Количество на складе:
84
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: to-220
Пороговое напряжение на затворе: 4.5
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC011941118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC011752974.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC000238248.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/486/DOC014486359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: to-220
Пороговое напряжение на затворе: 4.5
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC011941118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC011752974.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC000238248.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/486/DOC014486359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
STP9NK50Z - это N-канальный полевой МОП-транзистор SuperMESH ™, защищенный стабилитроном, полученный в результате предельной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя схемы PowerMESH ™ на основе полос. Помимо значительного снижения сопротивления в открытом состоянии, особое внимание уделяется обеспечению очень хороших значений dV / dt для самых требовательных приложений.
• 0,72R RDS (ВКЛ.)
• Чрезвычайно высокая способность dV / dt
• 100% испытание на лавину
• Минимальный заряд затвора
• Очень низкая собственная емкость
• Очень хорошее производство воспроизводимость
• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода
152 ₽
STP9NK50ZFP TO-220FP
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: to-220
Пороговое напряжение на затворе: 4.5
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC011941118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC011752974.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC000238248.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/486/DOC014486359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: to-220
Пороговое напряжение на затворе: 4.5
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC011941118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC011752974.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC000238248.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/486/DOC014486359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
STP9NK50Z - это N-канальный полевой МОП-транзистор SuperMESH ™, защищенный стабилитроном, полученный в результате предельной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя схемы PowerMESH ™ на основе полос. Помимо значительного снижения сопротивления в открытом состоянии, особое внимание уделяется обеспечению очень хороших значений dV / dt для самых требовательных приложений.
• 0,72R RDS (ВКЛ.)
• Чрезвычайно высокая способность dV / dt
• 100% испытание на лавину
• Минимальный заряд затвора
• Очень низкая собственная емкость
• Очень хорошее производство воспроизводимость
• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода
152 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
STP4NK80Z TO-220
Артикул:
MXL389692
Количество на складе:
69
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220fp
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC011676649.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC012467720.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 120mJ Current Iar 4A Current, Idm Pulse 16A Power, Pd 25W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 510pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 600V Voltage, Vds Max 600V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220fp
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC011676649.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC012467720.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 120mJ Current Iar 4A Current, Idm Pulse 16A Power, Pd 25W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 510pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 600V Voltage, Vds Max 600V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом
105 ₽
STP4NK80Z TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220fp
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC011676649.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC012467720.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 120mJ Current Iar 4A Current, Idm Pulse 16A Power, Pd 25W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 510pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 600V Voltage, Vds Max 600V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220fp
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC011676649.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC012467720.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 120mJ Current Iar 4A Current, Idm Pulse 16A Power, Pd 25W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 510pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 600V Voltage, Vds Max 600V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом
105 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRFZ44N TO-220
Артикул:
MXL389712
Количество на складе:
96
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC011413533.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196757.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454789.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC011413533.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196757.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454789.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRFZ44EPBF представляет собой N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET®, в котором используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает чрезвычайно эффективную и надежную работу. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Передовые технологические процессы
• Динамический рейтинг dV / dt
• Полностью лавинный рейтинг
171 ₽
IRFZ44N TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC011413533.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196757.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454789.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC011413533.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196757.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454789.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRFZ44EPBF представляет собой N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET®, в котором используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает чрезвычайно эффективную и надежную работу. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Передовые технологические процессы
• Динамический рейтинг dV / dt
• Полностью лавинный рейтинг
171 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRFZ24N TO-220
Артикул:
MXL389714
Количество на складе:
86
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC011668297.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/992/DOC013992334.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196957.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC014403010.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC011668297.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/992/DOC013992334.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196957.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC014403010.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
114 ₽
IRFZ24N TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC011668297.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/992/DOC013992334.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196957.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC014403010.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC011668297.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/992/DOC013992334.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196957.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC014403010.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
114 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFPS37N50A TO-247AC
Артикул:
MXL389715
Количество на складе:
76
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC011223327.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702393.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC012276494.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631828.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196881.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402953.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC011223327.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702393.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC012276494.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631828.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196881.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402953.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
475 ₽
IRFPS37N50A TO-247AC
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC011223327.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702393.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC012276494.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631828.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196881.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402953.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC011223327.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702393.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/276/DOC012276494.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631828.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196881.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402953.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
475 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFR320 D-PAK
Артикул:
MXL389716
Количество на складе:
33
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 0.97
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/887/DOC011887684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/701/DOC011701541.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196978.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402967.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 0.97
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/887/DOC011887684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/701/DOC011701541.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196978.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402967.pdf
Бренд: Vishay
IRFR310PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, надежной конструкции устройства и низкого сопротивления при включении. DPAK предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парофазной, инфракрасной или волновой пайки. В типичных приложениях для поверхностного монтажа возможны уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Поверхностный монтаж
• Полные лавинные характеристики
105 ₽
IRFR320 D-PAK
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 0.97
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/887/DOC011887684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/701/DOC011701541.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196978.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402967.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 0.97
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/887/DOC011887684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/701/DOC011701541.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196978.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402967.pdf
Бренд: Vishay
IRFR310PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, надежной конструкции устройства и низкого сопротивления при включении. DPAK предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парофазной, инфракрасной или волновой пайки. В типичных приложениях для поверхностного монтажа возможны уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Поверхностный монтаж
• Полные лавинные характеристики
105 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP4242 TO-247AC
Артикул:
MXL389718
Количество на складе:
17
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 83
Корпус: to-247ac
Особенности: мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе: 5
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC013077118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297958.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 250V; Current, Id Cont: 44A; Resistance, Rds On: 0.038ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Through Hole; Base Number: 4229; Current, Idm Pulse: 180A; Marking, SMD: 310; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 310mW; Voltage, Vds Max: 300V
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 83
Корпус: to-247ac
Особенности: мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе: 5
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC013077118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297958.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 250V; Current, Id Cont: 44A; Resistance, Rds On: 0.038ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Through Hole; Base Number: 4229; Current, Idm Pulse: 180A; Marking, SMD: 310; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 310mW; Voltage, Vds Max: 300V
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм
646 ₽
IRFP4242 TO-247AC
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 83
Корпус: to-247ac
Особенности: мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе: 5
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC013077118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297958.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 250V; Current, Id Cont: 44A; Resistance, Rds On: 0.038ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Through Hole; Base Number: 4229; Current, Idm Pulse: 180A; Marking, SMD: 310; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 310mW; Voltage, Vds Max: 300V
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 83
Корпус: to-247ac
Особенности: мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе: 5
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC013077118.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297958.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 250V; Current, Id Cont: 44A; Resistance, Rds On: 0.038ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Through Hole; Base Number: 4229; Current, Idm Pulse: 180A; Marking, SMD: 310; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 310mW; Voltage, Vds Max: 300V
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм
646 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP360 TO-247AC
Артикул:
MXL389722
Количество на складе:
45
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC011945551.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/320/DOC012320487.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631554.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196717.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402908.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC011945551.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/320/DOC012320487.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631554.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196717.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402908.pdf
Бренд: Vishay
IRFP350PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления при включении. Пакет обеспечивает большие расстояния утечки между штырями, чтобы соответствовать требованиям большинства спецификаций безопасности.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Простота параллельной работы
• Устойчивость к повторяющимся лавинам
• Изолированное центральное монтажное отверстие
• Простые требования к приводу
380 ₽
IRFP360 TO-247AC
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC011945551.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/320/DOC012320487.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631554.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196717.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402908.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-247ac
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC011945551.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/320/DOC012320487.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631554.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196717.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402908.pdf
Бренд: Vishay
IRFP350PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением и оптимальным сочетанием быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления при включении. Пакет обеспечивает большие расстояния утечки между штырями, чтобы соответствовать требованиям большинства спецификаций безопасности.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Простота параллельной работы
• Устойчивость к повторяющимся лавинам
• Изолированное центральное монтажное отверстие
• Простые требования к приводу
380 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP350 TO-247AC
Артикул:
MXL389723
Количество на складе:
52
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0042 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300362.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0042 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300362.pdf
Бренд: Infineon Technologies
The IRFP3306PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
504 ₽
IRFP350 TO-247AC
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0042 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300362.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0042 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220
Корпус: to-247ac
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300362.pdf
Бренд: Infineon Technologies
The IRFP3306PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
504 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP264 TO-247AC
Артикул:
MXL389724
Количество на складе:
67
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: to-247ac
Особенности: аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702342.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC011806152.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC011912097.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197101.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402898.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: to-247ac
Особенности: аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702342.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC011806152.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC011912097.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197101.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402898.pdf
Бренд: Vishay
IRFP260PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением, сочетающий в себе быстрое переключение, прочную конструкцию устройства и низкое сопротивление включению. Пакет обеспечивает большие расстояния утечки между штырями, чтобы соответствовать требованиям большинства спецификаций безопасности.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Простота параллельной работы
• Устойчивость к повторяющимся лавинам
• Изолированное центральное монтажное отверстие
• Простые требования к приводу
703 ₽
IRFP264 TO-247AC
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: to-247ac
Особенности: аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702342.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC011806152.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC011912097.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197101.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402898.pdf
Бренд: Vishay
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: to-247ac
Особенности: аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/702/DOC011702342.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC011806152.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC011912097.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197101.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402898.pdf
Бренд: Vishay
IRFP260PBF - это силовой полевой МОП-транзистор третьего поколения с N-канальным расширением, сочетающий в себе быстрое переключение, прочную конструкцию устройства и низкое сопротивление включению. Пакет обеспечивает большие расстояния утечки между штырями, чтобы соответствовать требованиям большинства спецификаций безопасности.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Простота параллельной работы
• Устойчивость к повторяющимся лавинам
• Изолированное центральное монтажное отверстие
• Простые требования к приводу
703 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP260N TO-247
Артикул:
MXL389725
Количество на складе:
27
Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 50 A
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 300 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.2мм
Высота: 21.1мм
Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 16.13мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 17 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 55 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 40 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 234 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 4057 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC011611442.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC005208430.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Максимальный непрерывный ток стока: 50 A
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 300 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.2мм
Высота: 21.1мм
Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 16.13мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 17 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 55 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 40 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 234 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 4057 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC011611442.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC005208430.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
504 ₽
IRFP260N TO-247
Отзывов (0)
Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 50 A
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 300 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.2мм
Высота: 21.1мм
Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 16.13мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 17 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 55 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 40 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 234 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 4057 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC011611442.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC005208430.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Максимальный непрерывный ток стока: 50 A
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 300 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.2мм
Высота: 21.1мм
Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 16.13мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 17 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 55 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 40 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 234 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 4057 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC011611442.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC005208430.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
504 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRFP240 TO-247AC
Артикул:
MXL389727
Количество на складе:
97
Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 23 А
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 370 W
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.31мм
Высота: 20.7мм
Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора: SI
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 15.87мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 26 ns
Производитель: Vishay
Типичное время задержки выключения: 53 нс
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage: 3V
Максимальное сопротивление сток-исток: 235 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 150 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3600 pF@ 25 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC011973119.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/090/DOC013090729.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC012066740.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Максимальный непрерывный ток стока: 23 А
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 370 W
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.31мм
Высота: 20.7мм
Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора: SI
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 15.87мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 26 ns
Производитель: Vishay
Типичное время задержки выключения: 53 нс
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage: 3V
Максимальное сопротивление сток-исток: 235 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 150 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3600 pF@ 25 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC011973119.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/090/DOC013090729.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC012066740.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
960 ₽
IRFP240 TO-247AC
Отзывов (0)
Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 23 А
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 370 W
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.31мм
Высота: 20.7мм
Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора: SI
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 15.87мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 26 ns
Производитель: Vishay
Типичное время задержки выключения: 53 нс
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage: 3V
Максимальное сопротивление сток-исток: 235 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 150 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3600 pF@ 25 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC011973119.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/090/DOC013090729.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC012066740.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Максимальный непрерывный ток стока: 23 А
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 370 W
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.31мм
Высота: 20.7мм
Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора: SI
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 15.87мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 26 ns
Производитель: Vishay
Типичное время задержки выключения: 53 нс
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage: 3V
Максимальное сопротивление сток-исток: 235 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 150 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3600 pF@ 25 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC011973119.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/090/DOC013090729.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC012066740.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
960 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
IRFBC40A TO-220
Артикул:
MXL389732
Количество на складе:
57
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
152 ₽
IRFBC40A TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.4
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435736.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631503.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC013737756.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/991/DOC013991457.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197084.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402822.pdf
Бренд: Vishay
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
152 ₽
Срок отгрузки от 5 дней