Электронные компоненты
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 SK
Артикул:
MXL389238
Количество на складе:
97
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 SK
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 GS
Артикул:
MXL389239
Количество на складе:
68
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 160В 6,3Х11 GS
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 100В 5Х11 RD,105С
Артикул:
MXL389240
Количество на складе:
21
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 100В 5Х11 RD,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 100В 5Х11 TK,105С
Артикул:
MXL389241
Количество на складе:
89
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 100В 5Х11 TK,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 63В 5Х11 TK,105C
Артикул:
MXL389242
Количество на складе:
47
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 63В 5Х11 TK,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
IRF640 TO-220
Артикул:
MXL389754
Количество на складе:
56
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/275/DOC012275921.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144240.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402457.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/275/DOC012275921.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144240.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402457.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
114 ₽
IRF640 TO-220
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/275/DOC012275921.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144240.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402457.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/275/DOC012275921.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144240.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402457.pdf
Бренд: Vishay
МОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
114 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 50В 5Х11 KM,105С
Артикул:
MXL389243
Количество на складе:
65
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 50В 5Х11 KM,105С
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 50В 5Х5 ST,105C MINI
Артикул:
MXL389244
Количество на складе:
51
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 50В 5Х5 ST,105C MINI
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 35В 4Х5 ST,105C MINI
Артикул:
MXL389245
Количество на складе:
53
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 35В 4Х5 ST,105C MINI
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 35В 5Х11 TK,105C
Артикул:
MXL389246
Количество на складе:
66
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 35В 5Х11 TK,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 25В 5Х11 TK,105C
Артикул:
MXL389247
Количество на складе:
17
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 25В 5Х11 TK,105C
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
К50-35 4,7М 25В 4Х7 SM, MINI
Артикул:
MXL389248
Количество на складе:
72
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
К50-35 4,7М 25В 4Х7 SM, MINI
Отзывов (0)
Рабочая температура,С: -55…105
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
Емкость (значение), мкФ: 330
Рабочее напряжение, В: 35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC000279577.pdf
Бренд: LSHC
конденсаторы электролитические
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
BUZ350 TO-218
Артикул:
MXL389761
Количество на складе:
88
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC002773419.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/120/DOC001120787.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC002773419.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/120/DOC001120787.pdf
Бренд: Infineon Technologies
71 ₽
BUZ350 TO-218
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC002773419.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/120/DOC001120787.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/773/DOC002773419.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/120/DOC001120787.pdf
Бренд: Infineon Technologies
71 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
BUZ305 TO-218
Артикул:
MXL389762
Количество на складе:
80
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222411.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC011871916.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC014415153.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222411.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC011871916.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC014415153.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
171 ₽
BUZ305 TO-218
Отзывов (0)
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222411.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC011871916.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC014415153.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222411.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC011871916.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC014415153.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
171 ₽
Срок отгрузки от 5 дней