Электронные компоненты
4N35(АОТ128)OTC
Артикул:
MXL360910
Количество на складе:
48
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 2500
Коэффициент передачи по току (Min), %: 40
Время включения (Typ), мкс: 3
Время выключения (Typ), мкс: 3
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-7A8
Бренд: Toshiba
Напряжение изоляции (RMS), В: 2500
Коэффициент передачи по току (Min), %: 40
Время включения (Typ), мкс: 3
Время выключения (Typ), мкс: 3
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-7A8
Бренд: Toshiba
49 ₽
4N35(АОТ128)OTC
Отзывов (0)
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 2500
Коэффициент передачи по току (Min), %: 40
Время включения (Typ), мкс: 3
Время выключения (Typ), мкс: 3
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-7A8
Бренд: Toshiba
Напряжение изоляции (RMS), В: 2500
Коэффициент передачи по току (Min), %: 40
Время включения (Typ), мкс: 3
Время выключения (Typ), мкс: 3
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-7A8
Бренд: Toshiba
49 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
2SC5387
Артикул:
MXL360929
Количество на складе:
63
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15…35
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: TO-3PML
Вес, г: 7.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC003894955.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15…35
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: TO-3PML
Вес, г: 7.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC003894955.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
418 ₽
2SC5387
Отзывов (0)
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15…35
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: TO-3PML
Вес, г: 7.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC003894955.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15…35
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: TO-3PML
Вес, г: 7.3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC003894955.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
418 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
2SB-772P ТРАНЗИСТОР ИМП,
Артикул:
MXL360932
Количество на складе:
98
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 10
Корпус: to-126
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC002787701.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC014550599.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 10
Корпус: to-126
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC002787701.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC014550599.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
70 ₽
2SB-772P ТРАНЗИСТОР ИМП,
Отзывов (0)
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 10
Корпус: to-126
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC002787701.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC014550599.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 10
Корпус: to-126
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC002787701.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC014550599.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/237/DOC004237624.pdf
Бренд: Inchange Semiconductor
70 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
293D106X9035C2TE3
Артикул:
MXL360950
Количество на складе:
71
Brand: Vishay
Tolerance Minus: -10%
Tolerance Plus: +10%
Допуск: ±10%
Емкость: 10мкФ
Корпус: 6032-28
Коэффициент рассеяния: 6%
Максимальная рабочая температура: +125 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение: 35В пост.тока
Серия: 293D
Технология: MnO2
Тип клеммы: Поверхностный монтаж
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Тип электролита: Твердое вещество
Ток утечки: 3.5 мкА
Эквивалентное последовательное сопротивление: 1.6Ом
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/448/DOC012448537.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458223.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458335.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458361.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/510/DOC012510064.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/535/DOC012535829.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC012537042.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/541/DOC012541549.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/542/DOC012542034.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050667.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074919.pdf
Бренд: Vishay
Номинальное напряжение 35 В, Номинальная ёмкость 10 мкФ, Допуск ёмкости ±10%, Код корпуса C
Tolerance Minus: -10%
Tolerance Plus: +10%
Допуск: ±10%
Емкость: 10мкФ
Корпус: 6032-28
Коэффициент рассеяния: 6%
Максимальная рабочая температура: +125 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение: 35В пост.тока
Серия: 293D
Технология: MnO2
Тип клеммы: Поверхностный монтаж
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Тип электролита: Твердое вещество
Ток утечки: 3.5 мкА
Эквивалентное последовательное сопротивление: 1.6Ом
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/448/DOC012448537.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458223.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458335.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458361.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/510/DOC012510064.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/535/DOC012535829.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC012537042.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/541/DOC012541549.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/542/DOC012542034.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050667.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074919.pdf
Бренд: Vishay
Номинальное напряжение 35 В, Номинальная ёмкость 10 мкФ, Допуск ёмкости ±10%, Код корпуса C
33 ₽
293D106X9035C2TE3
Отзывов (0)
Brand: Vishay
Tolerance Minus: -10%
Tolerance Plus: +10%
Допуск: ±10%
Емкость: 10мкФ
Корпус: 6032-28
Коэффициент рассеяния: 6%
Максимальная рабочая температура: +125 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение: 35В пост.тока
Серия: 293D
Технология: MnO2
Тип клеммы: Поверхностный монтаж
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Тип электролита: Твердое вещество
Ток утечки: 3.5 мкА
Эквивалентное последовательное сопротивление: 1.6Ом
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/448/DOC012448537.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458223.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458335.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458361.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/510/DOC012510064.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/535/DOC012535829.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC012537042.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/541/DOC012541549.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/542/DOC012542034.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050667.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074919.pdf
Бренд: Vishay
Номинальное напряжение 35 В, Номинальная ёмкость 10 мкФ, Допуск ёмкости ±10%, Код корпуса C
Tolerance Minus: -10%
Tolerance Plus: +10%
Допуск: ±10%
Емкость: 10мкФ
Корпус: 6032-28
Коэффициент рассеяния: 6%
Максимальная рабочая температура: +125 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение: 35В пост.тока
Серия: 293D
Технология: MnO2
Тип клеммы: Поверхностный монтаж
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Тип электролита: Твердое вещество
Ток утечки: 3.5 мкА
Эквивалентное последовательное сопротивление: 1.6Ом
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/448/DOC012448537.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458223.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458335.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC012458361.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/510/DOC012510064.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/535/DOC012535829.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC012537042.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/541/DOC012541549.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/542/DOC012542034.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050667.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074919.pdf
Бренд: Vishay
Номинальное напряжение 35 В, Номинальная ёмкость 10 мкФ, Допуск ёмкости ±10%, Код корпуса C
33 ₽
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней
Срок отгрузки от 5 дней