Электронные компоненты
CAY10-330J4LF
Бренд: Bourns
CAY10-330J4LF
Бренд: Bourns
BZX55C4V3-ST
Минимальное напряжение стабилизации,В: 4
Номинальное напряжение стабилизации,В: 4.3
Максимальное напряжение стабилизации,В: 4.6
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 75
при токе I ст,мА: 5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0.06…-0.03(%/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 116
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
Вес, г: 0.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151031.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
BZX55C4V3-ST
Минимальное напряжение стабилизации,В: 4
Номинальное напряжение стабилизации,В: 4.3
Максимальное напряжение стабилизации,В: 4.6
Статическое сопротивление Rст.,Ом: 75
при токе I ст,мА: 5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0.06…-0.03(%/K)
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА: 1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА: 116
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
Вес, г: 0.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC000151031.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC000056713.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Китай
HC49U 4MHZ
Бренд: SHENZHEN LUGUAN
HC49U 4MHZ
Бренд: SHENZHEN LUGUAN
BZV55C5V1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Hottech
корпус: Mini MELF, инфо: Стабилитрон 500мВт 5.1В MINIMELF
Стабилитроны серии BZV55 - это кремниевые стабилитроны мощностью 0.5 Вт для поверхностного монтажа. Данная серия стабилитронов является SMD аналогами стабилитронов серии BZX55. Диапазон стабилизации рабочего напряжения составляет от 2.4 В до 75 В. Пиковая мощность рассеивания в течение 8.3 мс составляет 30 Вт.Стабилитроны серии BZV55 используются в качестве стабилизатора низкого напряжения или опорного напряжения.
Стабилитроны выпускаются в небольшом герметичном безвыводном стеклянном корпусе SOD80 (MiniMelf). Метка в виде цветного кольца нанесена со стороны катода. Маркируются стабилитроны BZV55 по европейской системе Pro-Electron.
BZV55C5V1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/272/DOC000272838.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/696/DOC000696302.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC000713872.pdf
Бренд: Hottech
корпус: Mini MELF, инфо: Стабилитрон 500мВт 5.1В MINIMELF
Стабилитроны серии BZV55 - это кремниевые стабилитроны мощностью 0.5 Вт для поверхностного монтажа. Данная серия стабилитронов является SMD аналогами стабилитронов серии BZX55. Диапазон стабилизации рабочего напряжения составляет от 2.4 В до 75 В. Пиковая мощность рассеивания в течение 8.3 мс составляет 30 Вт.Стабилитроны серии BZV55 используются в качестве стабилизатора низкого напряжения или опорного напряжения.
Стабилитроны выпускаются в небольшом герметичном безвыводном стеклянном корпусе SOD80 (MiniMelf). Метка в виде цветного кольца нанесена со стороны катода. Маркируются стабилитроны BZV55 по европейской системе Pro-Electron.
BYV27-200 ДИОД
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV): 2 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If: 1.07 В при 3 А
Время обратного восстановления, Trr: 25 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr: 1 мкА при 100 В
Рабочая температура PN-прехода: -55…+175 C
Корпус: SOD-57
Вес, г: 0.8
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/634/DOC011634774.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/716/DOC011716728.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/950/DOC012950014.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012249.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/124/DOC015124612.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/485/DOC011485456.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/776/DOC002776208.pdf
Бренд: Vishay
BYV27-100-TAP - сверхбыстрый выпрямительный диод Avalanche Sinterglass с гальваническими выводами на осевых выводах и цветной полосой, обозначающей полярность катодного конца. Пассивированный стеклопакет. Паяемые клеммы в соответствии со стандартом MIL-STD-750, метод 2026
• Низкое прямое напряжение
• Сверхбыстрое время восстановления
• Повторяющийся пиковый прямой ток 15 А
BYV27-200 ДИОД
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV): 2 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If: 1.07 В при 3 А
Время обратного восстановления, Trr: 25 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr: 1 мкА при 100 В
Рабочая температура PN-прехода: -55…+175 C
Корпус: SOD-57
Вес, г: 0.8
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/634/DOC011634774.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/716/DOC011716728.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/950/DOC012950014.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012249.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/124/DOC015124612.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/485/DOC011485456.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/776/DOC002776208.pdf
Бренд: Vishay
BYV27-100-TAP - сверхбыстрый выпрямительный диод Avalanche Sinterglass с гальваническими выводами на осевых выводах и цветной полосой, обозначающей полярность катодного конца. Пассивированный стеклопакет. Паяемые клеммы в соответствии со стандартом MIL-STD-750, метод 2026
• Низкое прямое напряжение
• Сверхбыстрое время восстановления
• Повторяющийся пиковый прямой ток 15 А
GBU4M
Бренд: Diotec Semiconductor
GBU4M
Бренд: Diotec Semiconductor
B82432A1154K (S+M) ИНДУКТИВНОСТЬ
Номинальная индуктивность, мкГн: 15
Допуск номинальной индуктивности,%: 10
Типоразмер: 1812
Активное сопротивление,Ом: 1.25
Добротность,Q: 45
Рабочая температура,С: -55…125
Способ монтажа: smd
Длина корпуса,мм: 3.2
Диаметр (ширина)корпуса,мм: 4.5
Максимальный постоянный ток,мА: 280
Вес, г: 0.14
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/261/DOC005261729.pdf
Бренд: EPCOS
Индуктивности SMT серии B82432A производятся методом лазерного вырезания дорожек на медной фольге и методом намотки медного
провода на сердечник. Индуктивности, выполненные с применением лазерной резки, характеризуются высоким частотным резонансом и
обладают высокой надёжностью. Имеет негорючий корпус.
Применение:
- Фильтрация напряжения питания, объединение и разделение
- Антенные системы
- Автомобильная электроника
- Телекоммуникации
- Промышленная электроника
B82432A1154K (S+M) ИНДУКТИВНОСТЬ
Номинальная индуктивность, мкГн: 15
Допуск номинальной индуктивности,%: 10
Типоразмер: 1812
Активное сопротивление,Ом: 1.25
Добротность,Q: 45
Рабочая температура,С: -55…125
Способ монтажа: smd
Длина корпуса,мм: 3.2
Диаметр (ширина)корпуса,мм: 4.5
Максимальный постоянный ток,мА: 280
Вес, г: 0.14
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/261/DOC005261729.pdf
Бренд: EPCOS
Индуктивности SMT серии B82432A производятся методом лазерного вырезания дорожек на медной фольге и методом намотки медного
провода на сердечник. Индуктивности, выполненные с применением лазерной резки, характеризуются высоким частотным резонансом и
обладают высокой надёжностью. Имеет негорючий корпус.
Применение:
- Фильтрация напряжения питания, объединение и разделение
- Антенные системы
- Автомобильная электроника
- Телекоммуникации
- Промышленная электроника