Электронные компоненты
564ИР2 NI ФОРМ,ПРИЕМ,СНЯТА
Корпус: 402.16-23
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
564ИР2 NI ФОРМ,ПРИЕМ,СНЯТА
Корпус: 402.16-23
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
LM2576HVT-ADJ
Бренд: HTC TAEJIN
корпус: TO-220-5, инфо: Преобразователь постоянного тока понижающий подстраиваемый 3А
LM2576HVT-ADJ
Бренд: HTC TAEJIN
корпус: TO-220-5, инфо: Преобразователь постоянного тока понижающий подстраиваемый 3А
LL4448
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/057/DOC000057299.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/251/DOC000251032.pdf
Бренд: Diotec Semiconductor
корпус: MiniMELF, инфо: Диод импульсный 100В 0.15А
Корпус MiniMELF, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 100 В, Прямой ток диода (средний) 150 мА, Прямое падение напряжения 1 В, Особенности -LL4448
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/057/DOC000057299.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/251/DOC000251032.pdf
Бренд: Diotec Semiconductor
корпус: MiniMELF, инфо: Диод импульсный 100В 0.15А
Корпус MiniMELF, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 100 В, Прямой ток диода (средний) 150 мА, Прямое падение напряжения 1 В, Особенности -КМ555ЛР11МЕЗОН
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,7 В
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC016051825.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
КМ555ЛР11МЕЗОН
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,7 В
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC016051825.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
К555ЛН2 АЗОН
Тип логичекого элемента: не(инвертор)
Кол-во элементов: 6
Особенности: выход с открытым коллектором
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Рабочая температура, °C: -10…+70
Корпус: 201.14-1
Вес, г: 1.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/580/DOC005580197.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/421/DOC005421187.pdf
Бренд: Россия
Стандартные серии ТТЛ: 533, 555. Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль
6 логических элементов НЕ с открытым коллектором
Корпус: 201.14-1 (DIP14)
Импортный аналог: SN74LS05
К555ЛН2 АЗОН
Тип логичекого элемента: не(инвертор)
Кол-во элементов: 6
Особенности: выход с открытым коллектором
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Рабочая температура, °C: -10…+70
Корпус: 201.14-1
Вес, г: 1.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/580/DOC005580197.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/421/DOC005421187.pdf
Бренд: Россия
Стандартные серии ТТЛ: 533, 555. Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль
6 логических элементов НЕ с открытым коллектором
Корпус: 201.14-1 (DIP14)
Импортный аналог: SN74LS05
К555ЛА12 АЗОН
Корпус: 201.14-1
Мощность: потребляемая: 36,5 мВт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Ток: потребления: ≤ 12 мА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC016051728.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
К555ЛА12 АЗОН
Корпус: 201.14-1
Мощность: потребляемая: 36,5 мВт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Ток: потребления: ≤ 12 мА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC016051728.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC001108234.pdf
Бренд: Нет торговой марки
KN3(C)-103 ON-OFF-ON
Диэлектрическая прочность: 1500 (50 Гц, 1 мин.) В
Кол-во контактов в группе/ кол-во групп (всего контактов): 3/ 1 (3P)
Количество циклов коммутации (электро), не менее: 10000
Коммутируемое напряжение: 250 (125) В
Контактное сопротивление, не более: 50 мОм
Номинальный ток: 3 (5), Imax=6 А
Особенности: под винт
Размер установочного отверстия: Ф12,2 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм
Схема переключения: ON-OFF-ON SPDT C/O
Вес, г: 24
Бренд: RUICHI
KN3(C)-103 ON-OFF-ON
Диэлектрическая прочность: 1500 (50 Гц, 1 мин.) В
Кол-во контактов в группе/ кол-во групп (всего контактов): 3/ 1 (3P)
Количество циклов коммутации (электро), не менее: 10000
Коммутируемое напряжение: 250 (125) В
Контактное сопротивление, не более: 50 мОм
Номинальный ток: 3 (5), Imax=6 А
Особенности: под винт
Размер установочного отверстия: Ф12,2 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 (при Uисп.dc=500 В) МОм
Схема переключения: ON-OFF-ON SPDT C/O
Вес, г: 24
Бренд: RUICHI
KBU810
Бренд: Hottech
KBU810
Бренд: Hottech
KBU6M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074789.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 400, корпус: KBU
Диод: 1000 В, 6 А, мостКорпус KBU, Конфигурация соединения диодов 4Мост, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средн) 6 А
KBU6M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074789.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 400, корпус: KBU
Диод: 1000 В, 6 А, мостКорпус KBU, Конфигурация соединения диодов 4Мост, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средн) 6 А
KBU10M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074789.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 400, корпус: KBU
Корпус KBU, Конфигурация соединения диодов 4Мост, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средн) 10 АKBU10M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC000074789.pdf
Бренд: DC Components
кол-во в упаковке: 400, корпус: KBU
Корпус KBU, Конфигурация соединения диодов 4Мост, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средн) 10 А