Электронные компоненты
IRF9630 PBF
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
IRF9630PBF - это одноканальный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с напряжением -200 В, HEXFET-транзистор третьего поколения предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления в открытом состоянии. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Простота параллельного подключения
• Простые требования к приводу
IRF9630 PBF
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC011784232.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/930/DOC011930739.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC012631527.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196684.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC014402758.pdf
Бренд: Vishay
IRF9630PBF - это одноканальный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с напряжением -200 В, HEXFET-транзистор третьего поколения предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления в открытом состоянии. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Простота параллельного подключения
• Простые требования к приводу