Электронные компоненты
SKKT106-12E
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC000798279.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC000190516.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/141/DOC000141336.pdf
Бренд: Semikron Elektronik
SKKT106-12E
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC000798279.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC000190516.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/141/DOC000141336.pdf
Бренд: Semikron Elektronik
SKKT162-16E
Количество тиристоров: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение,В: 1800
Максимальный постоянный выходной ток, А: 156
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 1000
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс: 200
Максимальное напряжение изоляции U из.макс.: 3000
Рабочая температура,С: -40…125
Корпус: a21
Вес, г: 165
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC011944529.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/321/DOC005321641.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050473.pdf
Бренд: Semikron Elektronik
The SKKT 162/18 E is a SEMIPACK®2 Thyristor/Diode Module with hard soldered joints for high reliability.
• Heat transfer through aluminium oxide ceramic isolated metal baseplate
• UL recognized E63532
SKKT162-16E
Количество тиристоров: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение,В: 1800
Максимальный постоянный выходной ток, А: 156
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 1000
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс: 200
Максимальное напряжение изоляции U из.макс.: 3000
Рабочая температура,С: -40…125
Корпус: a21
Вес, г: 165
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC011944529.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/321/DOC005321641.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC000050473.pdf
Бренд: Semikron Elektronik
The SKKT 162/18 E is a SEMIPACK®2 Thyristor/Diode Module with hard soldered joints for high reliability.
• Heat transfer through aluminium oxide ceramic isolated metal baseplate
• UL recognized E63532
5П64GD-80-12 80А 1200В ДЕМОНТАЖ СПРОВЕРОЧНОГО СТЕНДА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/719/DOC002719466.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC002959403.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/274/DOC000274110.pdf
Бренд: ЗАО «Протон-Импульс»
Твердотельное двухканальное полупроводниковое оптоэлектронное реле переменного тока с контролем перехода фазы через «ноль».
Предназначено для коммутации электрических цепей переменного тока в системах автоматического регулирования приводов электродвигателей, цепях автоматического управления и регулирования.
Основные характеристики:
Входной ток I вх., мА: не менее 7, не более 32
Напряжение запрета U запр., В: не более 40;
Напряжение изоляции U из., B: 3750
Коммутируемое напряжение ср. кв. знач U ком., В: не менее _ 50, не более _ 420
Коммутируемый ток ср. кв. знач I ком., А: не менее 0.1, не более 20
5П64GD-80-12 80А 1200В ДЕМОНТАЖ СПРОВЕРОЧНОГО СТЕНДА
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/719/DOC002719466.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC002959403.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/274/DOC000274110.pdf
Бренд: ЗАО «Протон-Импульс»
Твердотельное двухканальное полупроводниковое оптоэлектронное реле переменного тока с контролем перехода фазы через «ноль».
Предназначено для коммутации электрических цепей переменного тока в системах автоматического регулирования приводов электродвигателей, цепях автоматического управления и регулирования.
Основные характеристики:
Входной ток I вх., мА: не менее 7, не более 32
Напряжение запрета U запр., В: не более 40;
Напряжение изоляции U из., B: 3750
Коммутируемое напряжение ср. кв. знач U ком., В: не менее _ 50, не более _ 420
Коммутируемый ток ср. кв. знач I ком., А: не менее 0.1, не более 20