Электронные компоненты
PIC18F2455-I-SP
Ядро: pic
Ширина шины данных: 8-бит
Тактовая частота: 48 мгц
Количество входов/выходов: 24
Объем памяти программ: 24 кбайт (12k x 16)
Тип памяти программ: flash
Объем EEPROM: 256 x 8
Объем RAM: 2k x 8
Наличие АЦП/ЦАП: ацп 10x10b
Встроенные интерфейсы: i2c, spi, uart, usb
Встроенная периферия: brown-outdetect/reset, hlvd, por, pwm, wdt
Напряжение питания: 4.2…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85c
Корпус: dip-28 (0.300 inch)
Вес, г: 4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/562/DOC011562479.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/055/DOC000055842.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/248/DOC000248391.pdf
Бренд: Microchip Technology
PIC18F2455-I / SP - это высокопроизводительный усовершенствованный USB-микроконтроллер для флэш-памяти с технологией nanoWatt. Идеально подходит для приложений с низким энергопотреблением (нановатт) и подключения, которые извлекают выгоду из наличия трех последовательных портов FS-USB (12 Мбит / с), I2C ™ и SPI ™ (до 10 Мбит / с) и асинхронного (с поддержкой LIN) последовательного порта (EUSART). Большой объем оперативной памяти для буферизации и расширенная флеш-память для программ делают его идеальным для встроенных приложений управления и мониторинга, которым требуется периодическое соединение с (устаревшим) персональным компьютером через USB для загрузки / выгрузки данных или обновления прошивки. Работая на частоте до 48 МГц, PIC18F2455 также в основном программно и аппаратно совместим с низкоскоростными устройствами USB OTP PIC16C745. В семействе PIC18F2455 представлены усовершенствования конструкции, которые делают этот микроконтроллер логичным выбором для многих высокопроизводительных и чувствительных к энергопотреблению приложений.
• Низкая (1,5 Мбит / с) и полная (12 Мбит / с) скорость
• Поддерживает управление, прерывание, изохронную и массовую передачу
• Поддерживает до 32 конечных точек (16 двунаправленных)
• 1 КБ ОЗУ с двойным доступом для USB
• Встроенный USB-трансивер со встроенным регулятором напряжения
• Режим управления мощностью - Запуск двухскоростного генератора
• Гибкая структура генератора - Четыре режима кварцевого генератора, включая высокоточную ФАПЧ для USB
• Периферийное устройство - Усовершенствованный модуль USART и расширенный модуль захвата / сравнения / ШИМ (ECCP)
• Сохранение флэш-памяти / данных EEPROM, gt; 40 лет
• Самостоятельное программирование под управлением программного обеспечения
• Одноцикловый аппаратный умножитель 8 x 8
• Отладка в цепи (ICD) через два контакта
PIC18F2455-I-SP
Ядро: pic
Ширина шины данных: 8-бит
Тактовая частота: 48 мгц
Количество входов/выходов: 24
Объем памяти программ: 24 кбайт (12k x 16)
Тип памяти программ: flash
Объем EEPROM: 256 x 8
Объем RAM: 2k x 8
Наличие АЦП/ЦАП: ацп 10x10b
Встроенные интерфейсы: i2c, spi, uart, usb
Встроенная периферия: brown-outdetect/reset, hlvd, por, pwm, wdt
Напряжение питания: 4.2…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85c
Корпус: dip-28 (0.300 inch)
Вес, г: 4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/562/DOC011562479.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/055/DOC000055842.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/248/DOC000248391.pdf
Бренд: Microchip Technology
PIC18F2455-I / SP - это высокопроизводительный усовершенствованный USB-микроконтроллер для флэш-памяти с технологией nanoWatt. Идеально подходит для приложений с низким энергопотреблением (нановатт) и подключения, которые извлекают выгоду из наличия трех последовательных портов FS-USB (12 Мбит / с), I2C ™ и SPI ™ (до 10 Мбит / с) и асинхронного (с поддержкой LIN) последовательного порта (EUSART). Большой объем оперативной памяти для буферизации и расширенная флеш-память для программ делают его идеальным для встроенных приложений управления и мониторинга, которым требуется периодическое соединение с (устаревшим) персональным компьютером через USB для загрузки / выгрузки данных или обновления прошивки. Работая на частоте до 48 МГц, PIC18F2455 также в основном программно и аппаратно совместим с низкоскоростными устройствами USB OTP PIC16C745. В семействе PIC18F2455 представлены усовершенствования конструкции, которые делают этот микроконтроллер логичным выбором для многих высокопроизводительных и чувствительных к энергопотреблению приложений.
• Низкая (1,5 Мбит / с) и полная (12 Мбит / с) скорость
• Поддерживает управление, прерывание, изохронную и массовую передачу
• Поддерживает до 32 конечных точек (16 двунаправленных)
• 1 КБ ОЗУ с двойным доступом для USB
• Встроенный USB-трансивер со встроенным регулятором напряжения
• Режим управления мощностью - Запуск двухскоростного генератора
• Гибкая структура генератора - Четыре режима кварцевого генератора, включая высокоточную ФАПЧ для USB
• Периферийное устройство - Усовершенствованный модуль USART и расширенный модуль захвата / сравнения / ШИМ (ECCP)
• Сохранение флэш-памяти / данных EEPROM, gt; 40 лет
• Самостоятельное программирование под управлением программного обеспечения
• Одноцикловый аппаратный умножитель 8 x 8
• Отладка в цепи (ICD) через два контакта
MOC3020
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 30
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А: -
Ток удержания, мА: 0.25
Время включения (Typ), мкс: -
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
Isolation Voltage: 5000Vrms
Maximum Trigger Current: 30mA
Number Of Channels: 1
Off-State Output Voltage - VDRM: 400V
Output Type: Triac
Zero-Crossing Circuit: No
Максимальный ток на входе: 50 мА
Производитель: Lite-On
Тип корпуса: PDIP
Напряжение изоляции: 5 кВ (среднеквадратичное значение)
Количество контактов: 6
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Выходное устройство: Симистор
Brand: Lite-On
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314932.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/072/DOC006072480.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
Optocouplers, Lite-On
MOC3020
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 30
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А: -
Ток удержания, мА: 0.25
Время включения (Typ), мкс: -
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
Isolation Voltage: 5000Vrms
Maximum Trigger Current: 30mA
Number Of Channels: 1
Off-State Output Voltage - VDRM: 400V
Output Type: Triac
Zero-Crossing Circuit: No
Максимальный ток на входе: 50 мА
Производитель: Lite-On
Тип корпуса: PDIP
Напряжение изоляции: 5 кВ (среднеквадратичное значение)
Количество контактов: 6
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Выходное устройство: Симистор
Brand: Lite-On
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314932.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/072/DOC006072480.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
Optocouplers, Lite-On
PIC18F4520-I-PT
Ядро: pic
Ширина шины данных: 8-бит
Тактовая частота: 40 мгц
Количество входов/выходов: 36
Объем памяти программ: 32 кбайт (16k x 16)
Тип памяти программ: flash
Объем EEPROM: 256 x 8
Объем RAM: 1.5k x 8
Наличие АЦП/ЦАП: ацп 13x10b
Встроенные интерфейсы: i2c, spi, uart
Встроенная периферия: brown-outdetect/reset, hlvd, por, pwm, wdt
Напряжение питания: 4.2…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85c
Корпус: TQFP-44 (10 x 10)
Вес, г: 1.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/060/DOC013060725.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/127/DOC011127875.pdf
Бренд: Microchip Technology
PIC18F4520-I-PT
Ядро: pic
Ширина шины данных: 8-бит
Тактовая частота: 40 мгц
Количество входов/выходов: 36
Объем памяти программ: 32 кбайт (16k x 16)
Тип памяти программ: flash
Объем EEPROM: 256 x 8
Объем RAM: 1.5k x 8
Наличие АЦП/ЦАП: ацп 13x10b
Встроенные интерфейсы: i2c, spi, uart
Встроенная периферия: brown-outdetect/reset, hlvd, por, pwm, wdt
Напряжение питания: 4.2…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85c
Корпус: TQFP-44 (10 x 10)
Вес, г: 1.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/060/DOC013060725.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/127/DOC011127875.pdf
Бренд: Microchip Technology
MOC3023-M
Максимальный ток на входе: 50 мА
Производитель: Lite-On
Тип корпуса: PDIP
Напряжение изоляции: 5 кВ (среднеквадратичное значение)
Количество контактов: 6
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Выходное устройство: Симистор
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/072/DOC006072480.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
PHOTOTRIAC, 400VDRM, IFT= 5MA, NZC
Корпус DIP-6
MOC3023-M
Максимальный ток на входе: 50 мА
Производитель: Lite-On
Тип корпуса: PDIP
Напряжение изоляции: 5 кВ (среднеквадратичное значение)
Количество контактов: 6
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Выходное устройство: Симистор
Вес, г: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/072/DOC006072480.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
PHOTOTRIAC, 400VDRM, IFT= 5MA, NZC
Корпус DIP-6
TLP627-2
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-5B2
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222834.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
TLP627-2
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 1000
Время включения (Typ), мкс: 50
Время выключения (Typ), мкс: 15
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)
Напряжение выхода, В: 300
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: 11-5B2
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222834.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Toshiba
MOC3052-M
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314972.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/319/DOC005319557.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/526/DOC009526994.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 6-Pin PDIP
Корпус DIP-6
MOC3052-M
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
Вес, г: 0.9
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314972.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/319/DOC005319557.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/526/DOC009526994.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
Optocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 6-Pin PDIP
Корпус DIP-6
AT45DB161E-SSHF-B
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269692.pdf
Бренд: Adesto Technologies
AT45DB161E-SSHF-B
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269692.pdf
Бренд: Adesto Technologies
AT45DB161E-SHD-T
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: SPI
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Тип: Флеш-память NOR
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Частота: 70 МГц
Бренд: DIALOG SEMICONDUCTOR
FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI
AT45DB161E-SHD-T
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: SPI
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Тип: Флеш-память NOR
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Частота: 70 МГц
Бренд: DIALOG SEMICONDUCTOR
FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI
TLP521-2GB
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 50
TLP521-2GB
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 50
AT45DB081E-SSHN-B
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269688.pdf
Бренд: Adesto Technologies
MEMORY, SERIAL FLASH, 8MBIT, SOIC-8
Корпус SO-8, Тип памяти FLASH, Подтип памяти DataFLASH, Интерфейс SPI, Объём памяти 8 Мбит, Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 3.6 В
AT45DB081E-SSHN-B
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269688.pdf
Бренд: Adesto Technologies
MEMORY, SERIAL FLASH, 8MBIT, SOIC-8
Корпус SO-8, Тип памяти FLASH, Подтип памяти DataFLASH, Интерфейс SPI, Объём памяти 8 Мбит, Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 3.6 В
4N38
Pd - рассеивание мощности: 70 mW
Vf - прямое напряжение: 1.5 V
Vr - обратное напряжение: 6 V
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 3.81 mm
Длина: 8.7 mm
Категория продукта: Транзисторные выходные оптопары
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: 1 Channel
Коэффициент передачи по току: 30 %
Максимальная рабочая температура: + 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 V
Максимальный коллекторный ток: 100 mA
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение изоляции: 5000 Vrms
Подкатегория: Optocouplers
Размер фабричной упаковки: 2000
Тип выхода: NPN Phototransistor
Тип продукта: Transistor Output Optocouplers
Торговая марка: Vishay Semiconductors
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: DIP-6
Ширина: 6.5 mm
Base Product Number: 4N38 ->
Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Current - Output / Channel: 50mA
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 20mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Input Type: DC
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Transistor with Base
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10Вµs, 10Вµs
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Output (Max): 80V
Количество Выводов: 6вывод(-ов)
Линейка Продукции: 4N38
Максимальный Прямой Ток: 60мА
Мин. CTR: 20%
Напряжение Коллектор-Эмиттер: 80В
Стиль Корпуса Оптопары: DIP
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/315/DOC011315348.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC012341651.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Vishay
Optocoupler; No. of Channels: 1; Isolation Voltage: 5300Vrms; Optocoupler Output Type: Transistor; Input Current Max: 10mA; Output Voltage Max: 80V; Package/Case: 6-DIP; Leaded Process Compatible: Yes; Mounting Type: Through Hole
Корпус DIP-6, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 80 В, Коммутируемый ток (макс) 80 мА, Напряжение изоляции 5.3 кВ
4N38
Pd - рассеивание мощности: 70 mW
Vf - прямое напряжение: 1.5 V
Vr - обратное напряжение: 6 V
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 3.81 mm
Длина: 8.7 mm
Категория продукта: Транзисторные выходные оптопары
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: 1 Channel
Коэффициент передачи по току: 30 %
Максимальная рабочая температура: + 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 V
Максимальный коллекторный ток: 100 mA
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение изоляции: 5000 Vrms
Подкатегория: Optocouplers
Размер фабричной упаковки: 2000
Тип выхода: NPN Phototransistor
Тип продукта: Transistor Output Optocouplers
Торговая марка: Vishay Semiconductors
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: DIP-6
Ширина: 6.5 mm
Base Product Number: 4N38 ->
Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Current - Output / Channel: 50mA
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 20mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Input Type: DC
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Transistor with Base
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10Вµs, 10Вµs
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Output (Max): 80V
Количество Выводов: 6вывод(-ов)
Линейка Продукции: 4N38
Максимальный Прямой Ток: 60мА
Мин. CTR: 20%
Напряжение Коллектор-Эмиттер: 80В
Стиль Корпуса Оптопары: DIP
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/315/DOC011315348.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC012341651.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/043/DOC000043568.pdf
Бренд: Vishay
Optocoupler; No. of Channels: 1; Isolation Voltage: 5300Vrms; Optocoupler Output Type: Transistor; Input Current Max: 10mA; Output Voltage Max: 80V; Package/Case: 6-DIP; Leaded Process Compatible: Yes; Mounting Type: Through Hole
Корпус DIP-6, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 80 В, Коммутируемый ток (макс) 80 мА, Напряжение изоляции 5.3 кВ
W25Q64FVSSIG
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/093/DOC001093217.pdf
Бренд: Winbond Electronics
корпус: 8-SO, инфо: Флэш-память шина SPI 64Мбит
W25Q64FVSSIG
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/093/DOC001093217.pdf
Бренд: Winbond Electronics
корпус: 8-SO, инфо: Флэш-память шина SPI 64Мбит
MOC3063-M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314950.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 1, корпус: DIP6
MOC3063-M
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC011314950.pdf
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 1, корпус: DIP6
AT27C010-70PU
Тип памяти: eprom
Объем памяти: 1 мбит(128k x 8)
Максимальная тактовая частота (скорость): 70 нс
Интерфейс: parallel
Напряжение питания, В: 4.5…5.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: plcc-32
Напряжение питания: 4.5…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85 гр.c
Вес, г: 2.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/866/DOC011866486.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/590/DOC005590871.pdf
Бренд: Microchip Technology
AT27C010-70JU представляет собой 1048576-битную маломощную высокопроизводительную одноразовую программируемую постоянную память (OTP EPROM) IC, организованную как 128K на 8-бит. Для работы устройства в обычном режиме чтения требуется только один источник питания 5 В. Доступ к любому байту можно получить менее чем за 45 нс, что устраняет необходимость в снижении скорости состояний WAIT в высокопроизводительных микропроцессорных системах. В режиме чтения AT27C010 обычно потребляет всего 8 мА. Ток питания в режиме ожидания обычно составляет менее 10 мкА. AT27C010 доступен в различных отраслевых стандартах, одобренных JEDEC, с однократным программированием (OTP). Все устройства имеют двухполюсное управление (CE, OE), что дает разработчикам гибкость для предотвращения конфликтов на шине. Обладая емкостью 128 КБ, AT27C010 позволяет надежно хранить прошивку и получать к ней доступ для системы без задержек, связанных с запоминающими устройствами большой емкости. AT27C010 обладает дополнительными функциями, обеспечивающими высокое качество и эффективность производственного использования.
• 45 нс Быстрое время доступа для чтения
• Работа CMOS с низким энергопотреблением - максимум 100 мкА в режиме ожидания
• Питание 5 В ± 10%
• Технология CMOS высокой надежности - Защита от электростатического разряда 2000 В
• Быстрое программирование алгоритм - 100 мкс / байт (типичный)
• Входы и выходы, совместимые с CMOS и TTL
• Встроенный идентификационный код продукта
• Промышленный диапазон температур
AT27C010-70PU
Тип памяти: eprom
Объем памяти: 1 мбит(128k x 8)
Максимальная тактовая частота (скорость): 70 нс
Интерфейс: parallel
Напряжение питания, В: 4.5…5.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: plcc-32
Напряжение питания: 4.5…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85 гр.c
Вес, г: 2.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/866/DOC011866486.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/590/DOC005590871.pdf
Бренд: Microchip Technology
AT27C010-70JU представляет собой 1048576-битную маломощную высокопроизводительную одноразовую программируемую постоянную память (OTP EPROM) IC, организованную как 128K на 8-бит. Для работы устройства в обычном режиме чтения требуется только один источник питания 5 В. Доступ к любому байту можно получить менее чем за 45 нс, что устраняет необходимость в снижении скорости состояний WAIT в высокопроизводительных микропроцессорных системах. В режиме чтения AT27C010 обычно потребляет всего 8 мА. Ток питания в режиме ожидания обычно составляет менее 10 мкА. AT27C010 доступен в различных отраслевых стандартах, одобренных JEDEC, с однократным программированием (OTP). Все устройства имеют двухполюсное управление (CE, OE), что дает разработчикам гибкость для предотвращения конфликтов на шине. Обладая емкостью 128 КБ, AT27C010 позволяет надежно хранить прошивку и получать к ней доступ для системы без задержек, связанных с запоминающими устройствами большой емкости. AT27C010 обладает дополнительными функциями, обеспечивающими высокое качество и эффективность производственного использования.
• 45 нс Быстрое время доступа для чтения
• Работа CMOS с низким энергопотреблением - максимум 100 мкА в режиме ожидания
• Питание 5 В ± 10%
• Технология CMOS высокой надежности - Защита от электростатического разряда 2000 В
• Быстрое программирование алгоритм - 100 мкс / байт (типичный)
• Входы и выходы, совместимые с CMOS и TTL
• Встроенный идентификационный код продукта
• Промышленный диапазон температур
H11B1
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 1mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Input Type: DC
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Darlington with Base
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
REACH Status: REACH Unaffected
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ): 125Вµs, 100Вµs
Vce Saturation (Max): 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Voltage - Output (Max): 30V
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/360/DOC011360471.pdf
Бренд: Isocom Components
H11B1
Current Transfer Ratio (Min): 500% @ 1mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Input Type: DC
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Darlington with Base
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
REACH Status: REACH Unaffected
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ): 125Вµs, 100Вµs
Vce Saturation (Max): 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Voltage - Output (Max): 30V
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/360/DOC011360471.pdf
Бренд: Isocom Components
K3010P
Pd - рассеивание мощности: 350 mW
Vf - прямое напряжение: 1.25 V
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 4.2 mm
Выходное напряжение в закрытом состоянии - VDRM: 250 V
Длина: 8.8 mm
Категория продукта: Симисторные и тринисторные выходные оптопары
Количество каналов: 1 Channel
Максимальная рабочая температура: + 85 C
Максимальный непрерывный выходной ток: 100 mA
Максимальный отпирающий ток: 15 mA
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение изоляции: 3750 Vrms
Подкатегория: Optocouplers
Размер фабричной упаковки: 2000
Тип выхода: PhotoTriac
Тип продукта: Triac SCR Output Optocouplers
Торговая марка: Vishay Semiconductors
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: DIP-6
Цепь контроля перехода через ноль: Without Zero-Crossing Circuit
Ширина: 6.4 mm
Approval Agency: BSI, CQC, UR, VDE
Base Product Number: K3010 ->
Current - DC Forward (If) (Max): 80mA
Current - Hold (Ih): 100ВµA (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Triac
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Static dV/dt (Min): 10kV/Вµs (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Voltage - Off State: 250V
Zero Crossing Circuit: No
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/733/DOC011733135.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/949/DOC011949547.pdf
Бренд: Vishay
K3010P
Pd - рассеивание мощности: 350 mW
Vf - прямое напряжение: 1.25 V
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 4.2 mm
Выходное напряжение в закрытом состоянии - VDRM: 250 V
Длина: 8.8 mm
Категория продукта: Симисторные и тринисторные выходные оптопары
Количество каналов: 1 Channel
Максимальная рабочая температура: + 85 C
Максимальный непрерывный выходной ток: 100 mA
Максимальный отпирающий ток: 15 mA
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение изоляции: 3750 Vrms
Подкатегория: Optocouplers
Размер фабричной упаковки: 2000
Тип выхода: PhotoTriac
Тип продукта: Triac SCR Output Optocouplers
Торговая марка: Vishay Semiconductors
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: DIP-6
Цепь контроля перехода через ноль: Without Zero-Crossing Circuit
Ширина: 6.4 mm
Approval Agency: BSI, CQC, UR, VDE
Base Product Number: K3010 ->
Current - DC Forward (If) (Max): 80mA
Current - Hold (Ih): 100ВµA (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100mA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.40.8000
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Number of Channels: 1
Operating Temperature: -55В°C ~ 100В°C
Output Type: Triac
Package: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300"", 7.62mm)
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Static dV/dt (Min): 10kV/Вµs (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Voltage - Off State: 250V
Zero Crossing Circuit: No
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/733/DOC011733135.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/949/DOC011949547.pdf
Бренд: Vishay
K1010D
Бренд: Cosmo Electronics
корпус: DIP-4, инфо: Оптопара транзисторная одноканальная 5.0кВ /80В 0.05A Кус=300-600% 0.2Вт -55...+115°C
K1010D
Бренд: Cosmo Electronics
корпус: DIP-4, инфо: Оптопара транзисторная одноканальная 5.0кВ /80В 0.05A Кус=300-600% 0.2Вт -55...+115°C
MOC3021-M
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 100, корпус: DIP6
MOC3021-M
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 100, корпус: DIP6
6N139
Бренд: Everlight Electronics
кол-во в упаковке: 45, корпус: DIP8
Корпус DIP-8, Тип выхода Транзистор составной, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 18 В, Коммутируемый ток (макс) 60 мА, Напряжение изоляции 5 кВ6N139
Бренд: Everlight Electronics
кол-во в упаковке: 45, корпус: DIP8
Корпус DIP-8, Тип выхода Транзистор составной, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 18 В, Коммутируемый ток (макс) 60 мА, Напряжение изоляции 5 кВ
4N25
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
4N25
Бренд: Lite-on Electronics
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
M24C04-WMN6TP
Тип памяти: eeprom
Объем памяти: 4 kбит(512x8)
Максимальная тактовая частота (скорость): 400 кгц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: soic-8(3.9мм)
Напряжение питания: 2.5…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85 гр.c
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC011673943.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC011955271.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583273.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454760.pdf
Бренд: ST Microelectronics
M24C04-WMN6P - это EEPROM (электрически стираемая программируемая память) 4 Кбит (512 x 8 бит) с последовательной шиной I2C в 8-контактном корпусе SOIC. Устройство поддерживает протокол I2C. Передача данных может быть инициирована только мастером шины, который также обеспечивает последовательную синхронизацию для синхронизации. Устройство M24C04-WMN6P всегда действует как ведомое устройство во время связи.
• Двухпроводной последовательный интерфейс I2C поддерживает протокол 400 кГц
• Диапазон напряжения одного источника питания от 2,5 В до 5,5 В
• Вход управления записью
• Запись байтов и страниц (до 16 байт)
• Режимы произвольного и последовательного чтения
• Самостоятельный цикл программирования
• Автоматическое увеличение адреса
• Улучшенная защита от электростатического разряда / защелки
• Более 1 миллиона циклов записи и более 40 лет хранения данных
• Диапазон рабочих температур от -40 ° C до 85 ° C
M24C04-WMN6TP
Тип памяти: eeprom
Объем памяти: 4 kбит(512x8)
Максимальная тактовая частота (скорость): 400 кгц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: soic-8(3.9мм)
Напряжение питания: 2.5…5.5 в
Рабочая температура: -40…+85 гр.c
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC011673943.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC011955271.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583273.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454760.pdf
Бренд: ST Microelectronics
M24C04-WMN6P - это EEPROM (электрически стираемая программируемая память) 4 Кбит (512 x 8 бит) с последовательной шиной I2C в 8-контактном корпусе SOIC. Устройство поддерживает протокол I2C. Передача данных может быть инициирована только мастером шины, который также обеспечивает последовательную синхронизацию для синхронизации. Устройство M24C04-WMN6P всегда действует как ведомое устройство во время связи.
• Двухпроводной последовательный интерфейс I2C поддерживает протокол 400 кГц
• Диапазон напряжения одного источника питания от 2,5 В до 5,5 В
• Вход управления записью
• Запись байтов и страниц (до 16 байт)
• Режимы произвольного и последовательного чтения
• Самостоятельный цикл программирования
• Автоматическое увеличение адреса
• Улучшенная защита от электростатического разряда / защелки
• Более 1 миллиона циклов записи и более 40 лет хранения данных
• Диапазон рабочих температур от -40 ° C до 85 ° C
MOC3082-M
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
MOC3082 - оптопара с симисторным выходом 800 В, 7.5 кВ, корпус DIP-6, переключение при переходе через ноль.Корпус DIP-6
MOC3082-M
Бренд: ISO
кол-во в упаковке: 65, корпус: DIP6
MOC3082 - оптопара с симисторным выходом 800 В, 7.5 кВ, корпус DIP-6, переключение при переходе через ноль.Корпус DIP-6