Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.003 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 210
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC000301366.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/123/DOC004123644.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 210A; Resistance, Rds On: 0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Base Number: 3206; Charge, Gate N-channel: 120nC; Current, Idm Pulse: 840A; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 300mW; Power, Pd: 300W; Voltage, Vds Max: 60V; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.003 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 210
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC000301366.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/123/DOC004123644.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 210A; Resistance, Rds On: 0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Base Number: 3206; Charge, Gate N-channel: 120nC; Current, Idm Pulse: 840A; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 300mW; Power, Pd: 300W; Voltage, Vds Max: 60V; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм
IRFB3207ZPBF MOSFET N-CH 75V 120A оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах. Если позиция под заказа - менеджер подскажет срок поставки после оформления заказа. IRFB3207ZPBF MOSFET N-CH 75V 120A - максимально быстрая доставка, бонусы при заказе, выгодная покупка на maxxel.ru.
Способы получения товара
- 1. Самовывоз из пункта выдачи заказов - Воронеж, ул. 60 армии, д. 27, оф. 37. Ежедневно 8:00-17:00.
- 2. Доставка курьером по городу Воронеж.
- 3. Доставка транспортной компанией СДЭК по всей территории РФ. Стоимость доставки в Ваш населенный пункт будет рассчитана автоматически при оформлении заказа.
- 4. Доставка Почтой России по всей территории РФ. Стоимость доставки в Ваш населенный пункт будет рассчитана автоматически при оформлении заказа.
Способы оплаты товара
- 1. Безналичный расчет.
