Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 169
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0053 Ом/101А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: TO-220AB
Особенности: автоприложения.электропривод
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/868/DOC011868866.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/548/DOC011548266.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196785.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 55V, 133A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 169A Resistance, Rds On 0.0053ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 680A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 330W Power, Pd 330W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.0053ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.45°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 169 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 169
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0053 Ом/101А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: TO-220AB
Особенности: автоприложения.электропривод
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/868/DOC011868866.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/548/DOC011548266.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196785.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 55V, 133A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 169A Resistance, Rds On 0.0053ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 680A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 330W Power, Pd 330W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.0053ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.45°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 169 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.3 мОм
IRF1405ZL-7PPBF MOSFET N-CH 55V 150A оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах. Если позиция под заказа - менеджер подскажет срок поставки после оформления заказа. IRF1405ZL-7PPBF MOSFET N-CH 55V 150A - максимально быстрая доставка, бонусы при заказе, выгодная покупка на maxxel.ru.
Способы получения товара
- 1. Самовывоз из пункта выдачи заказов - Воронеж, ул. 60 армии, д. 27, оф. 37. Ежедневно 8:00-17:00.
- 2. Доставка курьером по городу Воронеж.
- 3. Доставка транспортной компанией СДЭК по всей территории РФ. Стоимость доставки в Ваш населенный пункт будет рассчитана автоматически при оформлении заказа.
- 4. Доставка Почтой России по всей территории РФ. Стоимость доставки в Ваш населенный пункт будет рассчитана автоматически при оформлении заказа.
Способы оплаты товара
- 1. Безналичный расчет.
